но пока это другая история, да и не факт что анатомия кристалла тогда еще - как-то иначе не изменитьсяavuremybe:Вы не забывайте, что наращивание слоев увеличивает толщину чипа
Так давно уперлись. Каждый новый техпроцесс снижает надежность.Sergey771:вот когда упрутся в предел тех. процесса тогда и будете писать и утверждать как свершившийся факт:
Лева руляSergey771:avuremybe
вот когда упрутся в предел тех. процесса тогда и будете писать и утверждать как свершившийся факт
да нет тут шок контента, а обобщение ( я вел речь о техпроцессе флешь памяти , а не о тех процессах других полупроводников которые вы привели в пример)avuremybe:ВНИМАНИЕ - ШОК КОНТЕНТ!
никуда они в флеше не уперлись, или вы думаете их волнует очень надежность?, их волнует выгода и возможные убытки!Alexsandr:Так давно уперлись. Каждый новый техпроцесс снижает надежность
Первые исправимые ошибки чтения начали фиксироваться в Crucial MX500 после того, как на него было записано 928 Тбайт.Sergey771:никуда они в флеше не уперлись, или вы думаете их волнует очень надежность?, их волнует выгода и возможные убытки!
P/S: вертикальная память была разработана из за того что Самсунг решил не тратиться на вложения в оборудование для малых техпроцессов с учетом еще и рисков процента отбраковки пленарной памяти , а вернулся так сказать назад запустил в производство вертикальную с толстым 40 нм техпроцессом ( но даже цифра 40нм не подтверждена и в реальности тех. процесс может быть даже толще , а предполагаемая ибо производители 3D NAND неохотно делятся информацией о реальном тех процессе вертикальной памяти и реально информацию из оф. источников практически не найти в отличии от пленарной
те тесты записи и стирания под постоянным питанием, не имеют ни чего общего с ресурсомAlexsandr:Первые исправимые ошибки чтения начали фиксироваться в Crucial MX500 после того, как на него было записано 928 Тбайт
покурите что такое TBW оно намного скромнее чем вы думаете, да и циклов перезаписи у памяти 3D TLC 1500 ( и надежность тут совершенно не причем, у вертикальной памяти себестоимость просто ниже чем у пленарной)Alexsandr:скорее всего он просто не смог делать такую же память по надежности
Это физика. Но раз Вы называете ее обобщением и глупостями, то я Вам перефразирую на понятный язык:Sergey771:да нет тут шок контента, а обобщение ( я вел речь о техпроцессе флешь памяти , а не о тех процессах других полупроводников которые вы привели в пример)avuremybe:ВНИМАНИЕ - ШОК КОНТЕНТ!
P/S: не все еще и до 12 нм добрались в пленарной памяти (горизонтальной), а вы глупости говорите,
и дабы пресечь дальнейшие инсинуации, вот вам поперечный разрез 32 слойной Samsung (предположительно 40 нм) и 32 слойной Micron ( предположительно 30+ нм)
как мы видим у Micron появилось место, для увеличения слоев в сравнении с высотой чипа Samsung.
- спойлер
- section.jpg
Из-за того, что рост в ширину - уже был на грани выхода за границы существующих форм-факторов.вертикальная память была разработана из за того что
Имеют. Но нужно учитывать, что в реальности по факту, все будет еще хуже.Sergey771:те тесты записи и стирания под постоянным питанием, не имеют ни чего общего с ресурсом
Вопрос не только в себестоимости. Если снизить техпроцесс, то можно экономить и по площади и по высоте. Но опять таки, любое уменьшение техпроцесса приводит к ухудшению характеристик памяти. У производителей нет выбора, кроме как расти вверх и частично в техпроцесс. Утечки алгоримами нельзя компенсировать бесконечно. Если заряд потеряют за месяц 2% ячеек, а если 50%? А если 0,1%, но подряд кучкой? Уже сейчас для SSD помнится гарантированный срок хранения информации без питания для корпоратива около 3=х месяцев. Для QLS скорее всего будет еще хуже. В реальности дела лучше обстоят, но все же это потолок.Sergey771: покурите что такое TBW оно намного скромнее чем вы думаете, да и циклов перезаписи у памяти 3D TLC 1500 ( и надежность тут совершенно не причем, у вертикальной памяти себестоимость просто ниже чем у пленарной)
причем тут Аллах, не крутите задом вы сказали что память растет в верх со слоями ( и прям караул не хватает с верху места) я вам доказал обратное ,avuremybe:Это физика. Но раз Вы называете ее обобщением и глупостями, то я Вам перефразирую на понятный язык:
Аллах сказал, меньше 5нм быть не может
что за ересь, то у вас верх места не хватает то в ширь ( пленарная остановилась на 15 нм и ее можно было расширять и расширять, тем более с уменьшением тех. процессов свободная площадь только растет, а компоновка уплотняется)avuremybe:Из-за того, что рост в ширину - уже был на грани выхода за границы существующих форм-факторов
нет!, вы забываете про корпус чипа ( то что мы обычно видим глядя на чип памяти) и я так понял вы его еще и путаете с кристаллом ( то чего вы не видите глядя на корпус чипа памяти), если что, то теоретически при желании можно положить пластину кристалла на пластину и не однуavuremybe:Т.е. позволит в ту же толщину уместить 64 слоя
не имеют!, читайте от сюда + ниже viewtopic.php?p=2254263#p2254263Alexsandr:Имеют
я вроде об это еще на той странице сказалAlexsandr:Если снизить техпроцесс, то можно экономить и по площади и по высоте
нет. ( характеристики остаются на уровне и даже производительность возрастает, а вот циклы будут снижаться ,но производители используют уловки коррекцию ошибок , ловушки зарядов , алгоритмы работы контролеров и тд).Alexsandr:Но опять таки, любое уменьшение техпроцесса приводит к ухудшению характеристик памяти
для этого есть TBW и оно значительно скромнее циклов перезаписи разных типов памятиAlexsandr:Утечки алгоримами нельзя компенсировать бесконечно. Если заряд потеряют за месяц 2% ячеек, а если 50%? А если 0,1%, но подряд кучкой?
он изначально был таким ( но там большая привязка к температурам)Alexsandr:Уже сейчас для SSD помнится гарантированный срок хранения информации без питания для корпоратива около 3=х месяцев
нет, битность памяти не имеет отношения к длительности хранения информации в выключенном состоянии (просто чем больше битов на ячейку тем быстрее третья флешь)Alexsandr:Для QLS скорее всего будет еще хуже
Все нормально. То просто другой вид теста. Правда более показательный, но и этот имеет право на жизнь.Sergey771: не имеют!, читайте от сюда + ниже viewtopic.php?p=2254263#p2254263
Как бы сказать. Можно построить дом из хороших материалов, а можно сделать уловки, смешивая не очень хорошие, более грамотно проектируя, крася, покрывая снаружи... Но дом по первому сценарию будет лучше. Он дольше простоит, дешевле в эксплуатации и не будет иметь лавинообразного обрушения если что-то не так. Это грубо конечно,очень грубо. Но все эти ухищрения требуют питания на диск подавать почаще, делать больше массив для резерва и контрольных сумм, гораздо более точные и сложные контроллеры..., в случае ЧП, а точек отказа куда больше ведь стало. Диск станет кирпичом с куда большей вероятностью.Sergey771: нет. ( характеристики остаются на уровне и даже производительность возрастает, а вот циклы будут снижаться ,но производители используют уловки коррекцию ошибок , ловушки зарядов , алгоритмы работы контролеров и тд).
Стоп, стоп. Я может чего-то не понимаю?Sergey771: нет, битность памяти не имеет отношения к длительности хранения информации в выключенном состоянии (просто чем больше битов на ячейку тем быстрее третья флешь)
дело не просто в заряде, да и и все намного проще (по сути это та же ячейка что и SLC - просто в нее пишется больше данных , если в QLC писать по 1 биту на ячейку то количество циклов вырос-тет , тоже относиться к TLC и MLC)Alexsandr:Стоп, стоп. Я может чего-то не понимаю?
TLC NAND содержит восемь уровней заряда, QLC содержит 16 уровней заряда. Заряд как мы знаем не стабилен и со временем уменьшается
меняется (влияющие факторы: температура + работа накопителя * ну и само качество той же памяти)Alexsandr:но скорость утечки заряда то не меняется
Alexsandr:Получается чем старее технология памяти, тем дольше эта память может хранить заряд и за счет толщины слоев дольше служить при перезаписи. Скажем в подтверждение, на старой трансценд флешке было написано гарантированное время хранения 10 лет (флешка еще жива, 256мегабайт). На новых такого уже нет.
Характеристики таки ухудшаются. Циклы перезаписи, время записи (нужно создать заряд определенный в ячейке, проверить, переписать с уточнением данных о несоответствии...) и т.п.
Sergey771:характеристики остаются на уровне и даже производительность возрастает, а вот циклы будут снижаться
Я про сравнение памяти. Не важны условия. важно, что в одном случае можно потерять без проблем и перезаписи до 50% заряда, в другом 1/8 и в третьем 1/16 (цифры с потолка).Sergey771:меняется (влияющие факторы: температура + работа накопителя * ну и само качество той же памяти)
Увеличивая тем самым износ. т.е. сам факт включения и работы SSD даже на чтение вызывает износ, не включение - просаживание ячеек и потерю информации (самсунг со своими SSD когда-то показал это). Если верить самсунгу, хранение данных на практике составляет около 6 месяцев. После 7-8 идет безвозвратная потеря информации. И чем больше значений заряда должна хранить ячейка, тем чаще будет идти служебная перезапись.Sergey771:но контроллер не дурак он постоянно обращается к ячейкам (выравнивает износ)
[/quote]Sergey771:характеристики остаются на уровне и даже производительность возрастает, а вот циклы будут снижаться
тю, да это обыденное дело (в одном тех. процессе вы тоже самое можете получить в одинаковом типе памяти) *удачность кристаллов даст тоже самое (но незабываем заряд постоянно обновляется)Alexsandr:Я про сравнение памяти. Не важны условия. важно, что в одном случае можно потерять без проблем и перезаписи до 50% заряда, в другом 1/8 и в третьем 1/16
да и нет. я же вам писал :Alexsandr:Увеличивая тем самым износ. т.е. сам факт включения и работы SSD даже на чтение вызывает износ, не включение - просаживание ячеек и потерю информации (самсунг со своими SSD когда-то показал это). Если верить самсунгу, хранение данных на практике составляет около 6 месяцев. После 7-8 идет безвозвратная потеря информации. И чем больше значений заряда должна хранить ячейка, тем чаще будет идти служебная перезапись.
не верьте , большинство SSD соответствует стандарту JEDECAlexsandr:Если верить самсунгу
нет, это уй с плацем ( ССД и флешка) у первых более качественная память* там обрабатывают колоссальные массивы данных )Alexsandr:производительность не совсем растет. Обычная ЮСБ флешка служит индикатором
Я думаю что битность имеет отношение и к времени хранения и к ресурсу.Sergey771:битность памяти не имеет отношения к длительности хранения информации в выключенном состоянии
Как же не верить? Они выпустили SSD, где по видимому не было контроля заряда ячеек и перезаписи. Мы, как пользователи получается получили реальное время хранение данных. Где-то с 6-ти месяцев начиналась сильная деградация заряда в ячейках.Sergey771: не верьте , большинство SSD соответствует стандарту JEDEC
Все может быть. Но технологии в целом общие, поэтому все же показательны. Я привел пример флешки обычной раньше и сейчас, это однако тенденция. Спасаться явн будут самым простым способом, увеличивать объем накопителя.Sergey771:нет, это уй с плацем ( ССД и флешка) у первых более качественная память* там обрабатывают колоссальные массивы данных )
зато вендоры довольно потирают рукиAndrey2005: Из 100Гб MLC получили 400Гб QLC, но цены в 4 раза не упали
JEDEC об этом пока ничего не знает *о разнице в выключенном состоянии для разных типов памяти ,ну а износ памяти с большей битностью это само собой разумеющеесяAndrey2005:Я думаю что битность имеет отношение и к времени хранения и к ресурсу
да вот так не верить (вы я так понял о 840 evo , потери данных там не было, а вот производительность устоявшихся данных падала)Alexsandr:Как же не верить? Они выпустили SSD, где по видимому не было контроля заряда ячеек и перезаписи
Физика как бы не отменяет разницы во времени хранения.Sergey771: JEDEC об этом пока ничего не знает *о разнице в выключенном состоянии для разных типов памяти ,ну а износ памяти с большей битностью это само собой разумеющееся
Я видел именно такие диски с потерей. Народ все тянул и тянул при тормозящем диске, а потом шла потеря, летела винда, документы... Это все повторялось несколько раз (носили в начале по гарантии туда где покупали, там делали полный формат (перезапись) и диск живой). На потерю уходило около 6 месяцев. Точных данных понятное дело нет. Сейчас сомневаюсь, что стало лучше. Скорее всего есть варианты, какая память попалась, условия записи/хранения... Но все же.Sergey771: да вот так не верить (вы я так понял о 840 evo , потери данных там не было, а вот производительность устоявшихся данных падала)
в любом случае это предположенияAlexsandr:Физика как бы не отменяет разницы во времени хранения
возможно видели , а возможно и нет ( но я думаю что в сети бы подняли хайп)Alexsandr:Я видел именно такие диски с потерей
Это физика. Физические явления в любом типе памяти где разница только кол-ве считываемых уровней заряда одинакова. Скорее всего именно этим обусловлено количество перезаписи всего в 500 раз.Sergey771:в любом случае это предположения
спасибо кэп но я говорил не о физике, а о стандартизацииAlexsandr:Это физика
да нет, есть и по 1000 циклов QLC ( просто ячейка изнашивается быстрее и за один цикл в нее пишется четыре бита вместо одного)Alexsandr:Скорее всего именно этим обусловлено количество перезаписи всего в 500 раз
