SK Hynix почала постачання твердотілих накопичувачів на базі 321-шарової пам’яті QLC

Обсуждение статей и новостей сайта
Відповісти
Автор
Повідомлення
Ostin
Member

Повідомлення

Пропоную обговорити SK Hynix почала постачання твердотілих накопичувачів на базі 321-шарової пам’яті QLC
Більше шарів - менший час збереження заряду та гірші показники запису? Чи це не так працює?
l-m
Member

Повідомлення

Ostin: 09.04.2026 09:32 Пропоную обговорити SK Hynix почала постачання твердотілих накопичувачів на базі 321-шарової пам’яті QLC
Більше шарів - менший час збереження заряду та гірші показники запису? Чи це не так працює?
Не так.
Yalg
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Бета тест на хомяках.
zalizo_org
Member
Аватар користувача
Звідки: LV

Повідомлення

l-m: 09.04.2026 09:54
Ostin: 09.04.2026 09:32 Пропоную обговорити SK Hynix почала постачання твердотілих накопичувачів на базі 321-шарової пам’яті QLC
Більше шарів - менший час збереження заряду та гірші показники запису? Чи це не так працює?
Не так.
Ну так напиши як працює, раз вже взявся відповідати чуваку.
vdemeshko
Member
Аватар користувача
Звідки: Киев

Повідомлення

zalizo_org: 09.04.2026 10:07
l-m: 09.04.2026 09:54
Не так.
Ну так напиши як працює, раз вже взявся відповідати чуваку.
Меньше физический размер ячейки (тоньше тех процесс) - меньше срок сохранения заряда до рефреша. Увеличение слоев как раз было решение этой проблемы (у каждой компании , делающей флеш, свои реализации технологии как реализовывать естественное том числе и «интерконекты» и скорость обмена ) - без утончения норм тех процесса стали увеличивать слои в 3д компоновке. С увеличением кол-ва слоев , например у Самсунг, возрастала и пропускная способность массива для прямой записи. То есть по сути оба утверждения являются полностью обратными от фактической ситуации :) что там объяснять ? RTFM бл…! :gigi: да возможно они немного сделали тоньше нормы для производства слоя когда внедрили какие то дополнительные решения для сборки слоев в один массив но идея слоев примерно в этом - делать не один большой одномерный кристалл на тонком процессе с большим кол-вом ячеек , а много слоев на более зрелом тех процессе что бы как раз решить проблему удержания заряда.
OdeMix
Junior

Повідомлення

Скоро будем со слезами на глазах вспоминать про TLC память и рассказывать детям: А знаешь, когда-то выпускали память, которая выдерживала 3000 циклов перезаписи!!!
А дети с квадратными глазами: Да ладно тебе врать бать, чего её перестали выпускать, если она выдерживала в десять раз больше, чем новая???
Mozdev
Member

Повідомлення

Від цього QLC ліпше не стане як було лайном так і залишиться.
Scoffer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

zalizo_org: 09.04.2026 10:07Ну так напиши як працює
Там шари в буквальному сенсі. Отакі:
спойлер
Зображення
Тобто масив з н-ної кількості комірок встановлений на ребро, в першому наближенні. При цьому самі комірки можуть бути будь-якого розміру. Тенденція якраз йде до того щоб їх збільшувати в ширину і натомість туди писати більше рівнів заряду. QLC і ото все. Так виходить дешевше і надійніше одночасно відносно маленьких комірок тої ж результуючої бітової щільності.
yurius_r
Member

Повідомлення

Коли вже Android планшети почнуть отримувати такі роз'єми.
ronemun
Advanced Member

Повідомлення

Mozdev: 09.04.2026 11:30 Від цього QLC ліпше не стане як було лайном так і залишиться.
1/ ніхто не заставляє писати 4 біти в комірку - можна і 3, і 2, і 1. В TLC масово використовується режим SLC де комірки витримують 100к перезаписів, а швидкість навіть невеликої області більше ніж може забезпечити шина PCIe, по суті там і кеш DRAM вже давно малопотрібен, краще напряму в SLC - незалежність від втрати живлення і переплати за контролер.
2/ запас 10% підвищує швидкодію і кількість перезаписів в 2 рази. Ще на зорі TLC корпоративні ssd забезпечували 30 перезаписів/день протягом 5 років, тобто 50к+ записів, за рахунок збільшення вільного місця до 50% обєму диска. Цн головне для SSD - швидкість флешу пропорційна вільним блокам. Тепер прикиньте - QLC проти TLC - це +33%, а якщо цей приріст передати в SLC то взагалі.
3/ перші slc були в рази гірші по затримці запису ніж пізніші MLC, а тим більше ранні MLC проти пізніх TLC - там тільки рівні необхідних напруг давали економію на швидкості заряду декілька раз, а ще чутливість, корекція помилок, запас комірок через більший обєм (див. п2)
Mozdev
Member

Повідомлення

ronemun: 10.04.2026 03:37
Mozdev: 09.04.2026 11:30 Від цього QLC ліпше не стане як було лайном так і залишиться.
1/ ніхто не заставляє писати 4 біти в комірку - можна і 3, і 2, і 1. В TLC масово використовується режим SLC де комірки витримують 100к перезаписів, а швидкість навіть невеликої області більше ніж може забезпечити шина PCIe, по суті там і кеш DRAM вже давно малопотрібен, краще напряму в SLC - незалежність від втрати живлення і переплати за контролер.
2/ запас 10% підвищує швидкодію і кількість перезаписів в 2 рази. Ще на зорі TLC корпоративні ssd забезпечували 30 перезаписів/день протягом 5 років, тобто 50к+ записів, за рахунок збільшення вільного місця до 50% обєму диска. Цн головне для SSD - швидкість флешу пропорційна вільним блокам. Тепер прикиньте - QLC проти TLC - це +33%, а якщо цей приріст передати в SLC то взагалі.
3/ перші slc були в рази гірші по затримці запису ніж пізніші MLC, а тим більше ранні MLC проти пізніх TLC - там тільки рівні необхідних напруг давали економію на швидкості заряду декілька раз, а ще чутливість, корекція помилок, запас комірок через більший обєм (див. п2)
Але вони чомусь дуже активно пропихують і використовують саме 4 біти на комірку.
Scoffer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Mozdev: 10.04.2026 16:18Але вони чомусь дуже активно пропихують і використовують саме 4 біти на комірку.
Будуть і 8 пихати, і 16 з часом. Комірки це по суті ізольовані конденсатори, вони не можуть бути зроблені занадто малими: об'єм має кубічну розмірність, а поверхня лише квадратичну, відповідно лінійне зменшення діаметра комірки означає лінійне пришвидшення стікання заряду і це не контриться. Флеш як технологія застрягла в районі 20-30 реальних (а не маректологічних) нанометрів і нікуди не рухається, лише нарощуються шари і робляться більш точні компаратори рівнів заряду.
Резистивні/магнітні/магніторезистивні альтернативи (оптан, рерам, ферам і ото все) мають ще й меншу щільність приблизно по тим же самим причинам. Для зберігання чогось, заряду там, чи намагніченості, потрібен об'єм.
Оскільки всі ці технології як розробки ну дуже древні, ще з 70х-80х і принципово нового так і не вигадали нічого, лише впроваджували в комерцію, то скоріш за все це і є той самий технологічний глухий кут. Подальше нарошування ємності буде йти виключно екстенсивними методами, поки не упреться і там в щось, наприклад в тепловідвід.
longaro
Member

Повідомлення

Та и не нужны те Тлс , Млс и прочие с кучей перезаписей , ибо они настолько неубиваемые а объем маленький - что они просто бессмертные , а это Компаниям не выгодно . А еще многие зная что они имеют ограниченный ресурс , их заведомо стараются беречь - реже писать и не заполнять на полную . Потому можно на заводе намного сильнее экономить на их производительности и долговечности , для этого рынка потребителей .. ( а им еще и цену ниже подавай ) :rolleyes:
МОНАХ
Member
Аватар користувача
Звідки: Український Шаолінь

Повідомлення

...QLC... ...вони призначені не для корпоративного ринку і сегмента ШІ, а для споживчих ноутбуків і ПК.
► А шо так!? :D А шо трапилось? QLC-ж - дешево-сердито, саме те, що треба для вічно-"голодного" ШІ! (вони ще й гидують, виявляється, собаки штучно-інтелектуальні :) )
Відповісти