TSMC заявляє про готовність до масового виробництва на техпроцесі 2 нм у 2025 році

Обсуждение статей и новостей сайта
Відповісти
Автор
Повідомлення
taras_cs
Member
Аватар користувача
Звідки: Варшава-Київ-Дніпро

Повідомлення

Пропоную обговорити TSMC заявляє про готовність до масового виробництва на техпроцесі 2 нм у 2025 році

Росія та Китай заявляють про готовність зкомуниздити новий техпроцес.
dead_rat
Member
Аватар користувача
Звідки: Берлін

Повідомлення

taras_cs: 21.11.2024 10:52
Росія та Китай заявляють про готовність зкомуниздити новий техпроцес.
Не смішно, тут США не можуть запустити завод у білу з офіційним сапортом, таке не скомуніздити поки технологію не обкатають по повній
ronemun
Advanced Member

Повідомлення

dead_rat
до чого тут США?
запуск залежить від спеців, а вони працюють прямо на острові в TSMC. В разі блокади вони куди дінуться? В телепорт?
Навіть весь Тайвань не тре блокувати, а лише заводи. Та народ навіть від талібів на ослах в Афгані не встиг втекти, а тут океан навколо :lol:
Чи ви думаєте там є тунелі для виходу до батискафів (підводних мінілодок)?
vltk
Member
Звідки: Kyiv

Повідомлення

США и весь другой развитой мир очень даже причем. Не могут не умеют и как показывает завод в Аризоне - не догонят никогда. Здесь удивительно другое, говорящее о том, что сканер от асмл не самое главное. ТСМС только в конце этого месяца должно получить 1! новый сканер, что стоит больше 300 миллионов (интел их уже получил 2шт и по прежнему без толку), тот что на 2нм и меньше. И здесь главный параметрический вес составляют Не "спецы" - крутые тайваньские инженеры), а сложность самой линейки тех.процесса с технологической картой на тысячи параметров и на ряде установок они возможно динамические в течении времени прохождения этой установки (станок, как модно сейчас). Кроме сканера, шаблонов и экспонирования и даже процессов травления рельефа, начиная с предварительной подготовки пластины для запуска в процесс имеются процессы эпитаксии, ионного легирования, куча термообработок в вакууме для отжига дефектов после легирования и направленной диффузии, формирования силицидов/окислов как изоляторов, затем процессы формирования металлизации (проводимость) могут наносится очень разными способами, контроль после каждого станка-этапа тех.процесса и т.д. и много еще. И под каждый макет структуру чипа с выходом годным 5-10% (ура, вроде НИР прошел, сумели макет сделать (200-300 лямов в зависимости от сложности и "мелкости" процесса и пару лет, если это умеешь), затем по всей линейке процесса надо многократно подбирать/подгонять параметры технологической карты процесса, чтоб выйти на выход годных не менее 70% (стать рентабельными для разумной/конкурентной цены выпускаемого чипа с пластины). Я не здесь не касался вопросов скрайбирования пластин и упаковки чипов, это тоже надо уметь для новых 2нм кристаллов/чипов, чтобы не упал еще выход годных. И ТСМС набрал за десятилетия, только этим занимаясь, технологическую культуру (знания, опыт), которую нельзя ни украсть, не быстро перенять (ско(а)ммуниздить) , ни за какие деньги мира. Это тренд, и привет будущее.
Відповісти