Ну почти, 2700X имеет буст 4,35 максимальный , а в половине случаев он гонится до 4,2 по всем ядрам при адекватном напряжении. Тут же будет все иначе. Сейчас пояснюGrinnie Jax:Увеличенное +15% IPC относительно 2ХХХ звучит очень круто, конечно, как и буст 4.5 ГГц. Вероятно в разгоне можно будет выжать что-то вроде 4.7ГГцОстаётся только открытым вопрос реализации этой чиплетной схемы.
В первую очередь разгон процессора зависит от SIDD - обратная связь между утечкой статического электричества и температурой которая может вызвать саморазогрев.
Высокий SIDD лучше из-за электронной баллистики и Ti-состояний (XFR / Boost). Чем горячее транзистор, тем больше он может быть разогнан для заданного напряжения.
Ключ в том, чтобы уравновесить увеличение мощности утечки при более высоких температурах с динамическим снижением мощности в Ti-состояниях, где Ti-состояния: управление питанием процессора в области температурной инверсии.
На простом языке, проц с X это проц с высоким SIDD, без икса - с низким SIDD.
Идем дальше.
Второе. Когда затворы транзисторов становятся очень маленькими , становятся очевидными квантовые эффекты (туннелирование электронов), которые обычно незначительны но могут иметь вредные последствия.
Туннелирование электронов: если затвор становится слишком тонким, и электроны могут проходить через него, тогда заряд, накопленный на затворе, может быть потерян, что требует от пользователя замены этого потерянного заряда. В результате получается транзистор, который потребляет больше тока, что, в свою очередь, приводит к большему рассеиванию тепла. Отдельные транзисторы имеют почти неизмеримые величины потерь тока и повышение температуры, но когда несколько миллиардов транзисторов размещаются на одном куске кремния, эффект накапливается и становится серьезной проблемой. + ток не просто вытекает из затвора, ток может туннелировать от источника к стоку, если они находятся в непосредственной близости, что может препятствовать способности транзисторов контролировать ток.
На простом языке, навалить уже не выйдет, рабочее напряжение станет ниже (<1.2v), что соответственно означает низкий КПД из-за более высоких токов и очень низкого рабочего цикла преобразователя. Решается это путем увеличения кол-ва фаз. Также мы упремся в туннелирование и ничтожно малую площадь кристалла для рассеивания тепла(которая еще станет меньше с новым техпроцессом). Да припой отчасти поможет, но не решит всех проблем. Потому очень ограниченное кол-во плат 470 будут действительно хороши для разгона ZEN 2.
И самое главное, качество каждого ядра на более тонком техпроцессе будет иметь более весомые различия нежели сейчас
1,472 вольта нужно для работы худшего ядра на частоте 4350мгц
- спойлер
- спойлер
От сюда вытекает , что разгон упрётся в "качество" ядер. Как-то так
я понял, что мне нужно немного времени, чтобы вникнуть)) хоть и заканчивал курс микроэлектроники в своё время, но подзабыл. Насколько я понял из вашего поста - вариация между "качеством" ядер будет ещё больше, чем прежде - тогда каким образом AMD собираются поддерживать в среднем одинаковые возможности разгона между процессорами? Или тут выборки "удачных партий" "cherry-picked экземпляров" достигнут своего апогея?
