Intel готова к массовому выпуску памяти MRAM

[the_virus_ua]

Предлагаю обсудить Intel готова к массовому выпуску памяти MRAM

Интересно. Особенно интересна скорость такой памяти. А так для всяких мелких устройств будет замечательно.

[GoToHell]

22нм
200°C
обладают 10-летним сроком хранения информации

А диффузия внутрикристальная не быстрее будет?

[KimRomik]

кому нужны эти вечные ссд? твои дети успеют в детсад и школу сходить прежде чем этот ссд с фотографиями 1 сентября начнется сыпаться

кто не понял, это технология хранения информации как у жестких дисков, но без движущих механизмов

[gehka3]

ячейки MRAM обладают 10-летним сроком хранения информации при температуре 200°C

При 200 грд - до 10ти лет, а при 25-35 - всё те же 2-3 года?.... Ох уж этот маркетинх

[Amorphis1991]

22нм
200°C
обладают 10-летним сроком хранения информации

А диффузия внутрикристальная не быстрее будет?

Вопрос точно не по адресу местного форума, так как для ответа нужно точно знать много характеристик которые влияют на коеф. диффузии

[Scoffer]

Характеристики MRAM в серійних чіпах можна подивитись на прикладі виробів Everspin Technologies
https://eu.mouser.com/datasheet/2/144/M ... 511665.pdf

Отправлено спустя 36 секунд:
Вони правда явно не на 22нм, але уявлення про технологію як таку дадуть.

[GetOutTheWay]

При 200 грд - до 10ти лет, а при 25-35 - всё те же 2-3 года?.... Ох уж этот маркетинх

Так она будет стоять рядом с их новыми процами с 150W TDP. Там конечно не 200, но и не 25-35

[Sanьka]

уровень выхода годных ячеек превышает 99,9%.

Такое бывает?

[Lozov]

ячейки MRAM обладают 10-летним сроком хранения информации при температуре 200°C

При 200 грд - до 10ти лет, а при 25-35 - всё те же 2-3 года?.... Ох уж этот маркетинх

Если при 200 град 10 лет, то при 20 град не менее тысячи лет.
Как уже заметили выше с точки зрения физики эта память похожа на жесткий диск. А так как удалось избавиться от механики, то на порядки вырастет надёжность и скорость доступа.
Остается открытым вопрос об устойчивости к воздействию внешних магнитных полей. Если память отдельным модулем, то можно поставить магнитный экран.

[KimRomik]

При 200 грд - до 10ти лет, а при 25-35 - всё те же 2-3 года?.... Ох уж этот маркетинх

Если при 200 град 10 лет, то при 20 град не менее тысячи лет.
Как уже заметили выше с точки зрения физики эта память похожа на жесткий диск. А так как удалось избавиться от механики, то на порядки вырастет надёжность и скорость доступа.

да, но эти диски будут явно не для массового сегмента

[Lozov]

Вопрос цены и плотности ключевые. От этого зависит круг применения.
Если цена высокая и плотность низкая, тогда ограничится применением в контроллерах. Тот же IoT.
Если плотность на уровне тогда может где-то в серверах еще.
Ну и самый оптимистичный сценарий - низкая стоимость и высокая плотность. Тогда все виды флэша, жёстких дисков и частично оперативка отправятся на покой

[Shy]

спойлер

При 200 грд - до 10ти лет, а при 25-35 - всё те же 2-3 года?.... Ох уж этот маркетинх

Если при 200 град 10 лет, то при 20 град не менее тысячи лет.
Как уже заметили выше с точки зрения физики эта память похожа на жесткий диск. А так как удалось избавиться от механики, то на порядки вырастет надёжность и скорость доступа.
Остается открытым вопрос об устойчивости к воздействию внешних магнитных полей. Если память отдельным модулем, то можно поставить магнитный экран.

У нас на потоке три дипломных было по этой теме...тогда это считалась как крайне передовая технология, и да чем ниже температура тем дольше будет храниться, домены спокойнее стоят чем холоднее, ну про 10 лет при 200 перебор возможно, хотя с того времени материаловедение тоже шагнуло вперед...
Такого рода емкости пойдут свою нишу...

[MaxD]

Для выпуска данного типа ОЗУ чипмейкер адаптировал 22-нм техпроцесс FinFET и намерен встраивать ячейки MRAM в самые разные устройства, например, в продукты для «интернета вещей».

Интересно, по какой причине выделили именно этот сегмент? В IoT устройствах проблемы с энергонезависимой памятью? Флеш и eeprom стали узким местом? Просветите, к то в теме

[Scoffer]

Ціна і щільність одного порядку з пам'ятю типу SRAM на тому ж техпроцесі. Або в 6-8 раз дорожче за DDR того ж об'єму.
Тому MRAM точно не зустрічатиметься в аналогах SSD або флешах найближчі надцять років.
Я поки не бачу де її можна прикрутити за межами контролерів різноманітного обладнання. Хоча якщо інтел вбудує MRAM прямо в проц в тому числі в регістри, то такі чіпи розлітатимуться миттєво під ті самі контролери. Енергонезалежність на такому рівні явно буде цікавою.

[M1Z0]

При использовании 22-нм техпроцесса уровень выхода годных ячеек превышает 99,9%.

Это наверное значит что цена будет низкой ?)

[coffeeman]

Головна проблема - об'єм. Минулого року 1Гб був самим топом (Everspin). Таймінги кращі ніж у DRAM, ресурс трохи гірший ніж у DRAM.

В IoT та на сервері (додатковий кеш) вигідно, бо можна замінити легко та об'єм великий не потрібен.

[GoToHell]

Intel

цена будет низкой

[desconocido]

Интересно, по какой причине выделили именно этот сегмент? В IoT устройствах проблемы с энергонезависимой памятью? Флеш и eeprom стали узким местом? Просветите, к то в теме

Они это позиционируют как замену NVRAM/SRAM. Типа там и скорость хорошая, и на 22-нм можно клепать на одном "станке" со всем остальным ширпотребом. Вангую что дальше интеловских собственных FPGA эта хрень не уйдет, ибо интел

[Fog of War]

Rambus 2?
Ценовая политика та же?
Intel - давай досвиданья.

[Andrey2005]

Это наверное значит что цена будет низкой ?)

Конечно, гиг такой памяти будет всего 100уе
А если перевести в мегабайты, то вообще копейки, по 10 центов