Intel готовит 10-нм процессоры Cannon Lake-U с отключенным видеоядром

Обсуждение статей и новостей сайта
Автор
Повідомлення
n+gibat[]r
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Предлагаю обсудить Intel готовит 10-нм процессоры Cannon Lake-U с отключенным видеоядром
К тому же отсутствие интегрированного видеоядра обязывает использовать совместно с некоторыми процессорами Cannon Lake-U дискретную графику, что практически полностью нивелирует преимущества 10-нм чипов в плане энергопотребления.
Главное маркетинговые 10нм, а остальное неважно! :laugh:
Fishnya
Alex
Аватар користувача
Звідки: Мариуполь

Повідомлення

дешёвые процы, всё-равно будут раскупать готовые ноуты.
а потом плакаться :rotate:
Владимир[-+-]
Member
Аватар користувача

Повідомлення

А нoвые кофейные xeon Е3 будут подходить к старым сокетам v1???
Andrey2005
Member
Аватар користувача
Звідки: UA

Повідомлення

в последние годы корпорация Intel испытывает трудности
Да, припой стал жутким дефицитом, текстолит тоже пришлось делать в 2 раза тоньше, а тут еще непонятно за что плюха в ухо от АМД :gigi:
nv_ua
Member
Аватар користувача
Звідки: Харків

Повідомлення

Просто к заголовку: ЗАЧЕМ?
Steelmax
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Andrey2005
Да вообще, оборзели все Интелу жизнь портить, специально отбирают последние куски кремния :dispute:
Скоро будут чипы на bga шары накатывать и сразу с материнкой продавать, дефицитно нынче текстолит достать, а еще припой из сплава родия - так это нонсенс.
jt38
Member

Повідомлення

Irbis:14-нанометровый техпроцесс в том или ином виде нашёл применение уже в четырёх поколениях микропроцессоров Core
в 4-х степпингах core, если точнее
sav_
Member

Повідомлення

n+gibat[]r:Главное маркетинговые 10нм, а остальное неважно! :laugh:
а у кого они честные, не маркетинговые, кстати?
XpressRacer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

А зачем видеоядро на ноутбуках с дискретной видеокартой? Я понимаю - на пк, при апгрейде или выходе из строя вк посидеть на встройке, а в ноуте это бесполезная штука получается.
PsiiX3
Member
Аватар користувача
Звідки: Финляндия, Valkeakoski

Повідомлення

sav_:
n+gibat[]r:Главное маркетинговые 10нм, а остальное неважно! :laugh:
а у кого они честные, не маркетинговые, кстати?
У производителей памяти.
_Andrik_
Member
Аватар користувача
Звідки: Кременчук-PL

Повідомлення

XpressRacer:А зачем видеоядро на ноутбуках с дискретной видеокартой? Я понимаю - на пк, при апгрейде или выходе из строя вк посидеть на встройке, а в ноуте это бесполезная штука получается.
Энергопотребление - не, не слышали ? :teacher:
sav_
Member

Повідомлення

PsiiX3:У производителей памяти.
и как это определяется? есть стандарт, где сказано, что 10нм, это столько то транзисторов в один слой на единицу площади?
PsiiX3
Member
Аватар користувача
Звідки: Финляндия, Valkeakoski

Повідомлення

sav_:
PsiiX3:У производителей памяти.
и как это определяется? есть стандарт, где сказано, что 10нм, это столько то транзисторов в один слой на единицу площади?
Раз такое дело вам лучше начать с изучения материала на эту тему, а потому уже разводить болтовню на этот счёт. ;)
NiTr0
Member

Повідомлення

_Andrik_:Энергопотребление - не, не слышали ? :teacher:
а тут большой вопрос, что будет больше кушать: mx150 в 2д или же встроенное видео.
sav_
Member

Повідомлення

PsiiX3, знаете - раскажите другим, нет - не надо делать умный вид. А ваши
PsiiX3:Раз такое дело вам лучше начать с изучения материала на эту тему, а потому уже разводить болтовню на этот счёт. ;)
PsiiX3:У производителей памяти.
о ниочем.
Ekz0rcyst
Member
Аватар користувача
Звідки: Місцевий

Повідомлення

sav_:и как это определяется? есть стандарт, где сказано, что 10нм, это столько то транзисторов в один слой на единицу площади?
Сперва обозначало техническое разрешение литографического оборудования, затем стало обозначать длину затвора транзистора, полушаг линий металла (half pitch) и ширину линий металла.
Позже реальные размеры затворов транзисторов логических схем стали несколько меньше, чем обозначено в названии техпроцессов 350 нм — 45 нм, благодаря внедрению технологий resist-pattern-thinning и resist ashing. С этих пор коммерческие названия техпроцессов перестали соответствовать длине затвора.
Для обозначения более тонких техпроцессов разные технологические альянсы могут следовать различным рекомендациям (Foundry/IDM). В частности, TSMC использует обозначения 40 нм, 28 нм и 20 нм для техпроцессов, сходных по плотности с процессами Intel 45 нм, 32 нм и 22 нм соответственно.
К слову сейчас каждый меряет как ему вздумается, тем самым внося путаницу, но в наше время только ленивый или очень глупый человек не сможет найти информацию о том с применение каких технологических норм на самом деле производится тот или иной микрочип и т. д.
P.S. При желании это нетрудно и самому узнать, а не требовать её пояснения у других, ведь информация находится в свободном доступе.
sav_
Member

Повідомлення

Ekz0rcyst:К слову сейчас каждый меряет как ему вздумается
Єто прекрасно. Кто как хочет так и дмеряет, но про маркетинговые нанометры вспоминать персонально Интелу.
Вопрос в объективности. Как определить "честные" нанометры, если нет международного стандарта? Который общий для всех. Или он существует? Тогда поделитесь ссылкой и вопрос снят.
В гугле не забанен. Но после перехода на страницу IRDS становится понятно, что искать займет больше времени, чем спросить у Форумчан. Тем более здесь есть те, кто в теме, и им не должно быть трудно скопипастить ссылку на стандарт из закладок.
Scoffer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

sav_
спойлер
Зображення
Зліва направо: intel 14nm FinFET, tsmc 20nm planar, tsmc 16nm FinFET, samsung/GF 16nm FinFET
Найкращим, на мою думку, з цих всіх техпроцесів є tsmc 20nm, оскільки саме на ньому роблять одні з найбільш здоровених і частотних чіпів (sparc m8: 5.06ГГц штатної частоти, більше 10 мільярдів транзисторів або 2 з копійками райзени в транзисторному еквіваленті). При цьому планарний техпроцес ще і найдешевший серед них :laugh: Але в мобілках не рулить, тому активно не розвивається, нікому в реальності не потрібні високопродуктивні чіпи :-/
KimRomik
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Scoffer:sav_
спойлер
Зображення
Зліва направо: intel 14nm FinFET, tsmc 20nm planar, tsmc 16nm FinFET, samsung/GF 16nm FinFET
Найкращим, на мою думку, з цих всіх техпроцесів є tsmc 20nm, оскільки саме на ньому роблять одні з найбільш здоровених і частотних чіпів (sparc m8: 5.06ГГц штатної частоти, більше 10 мільярдів транзисторів або 2 з копійками райзени в транзисторному еквіваленті). При цьому планарний техпроцес ще і найдешевший серед них :laugh: Але в мобілках не рулить, тому активно не розвивається, нікому в реальності не потрібні високопродуктивні чіпи :-/
Интересно, где вы эту информацию почерпнули? Впрочем, непонятно почему компании не применяют этот техпроцесс, к примеру Intel, чтобы нормально конкурировать с AMD...
sav_
Member

Повідомлення

Scoffer
Спасибо, вещь полезная и вы не первый раз делитесь ей на Форуме. Особенно доставляет плотность транзисторов 37,5 у дрянного Intel против 30,5 у честного Samsung при одинаковом техпроцессе. :laugh: Хотя понятно, что таблица мало говорит о качестве самих пластин. И изделия от Samsung / TSMC могут оказаться лучше по ряду характеристик.
Но сюда лучше бы подошла таблица сравнения 10нм техпроцесса Intel, Samsung и TSMC со строкой Transistor destiny. У вас найдется такое?
Відповісти