Samsung незабаром анонсує техпроцес 1 нм, масове виробництво запустять у 2026 році

[Palmond]

Пропоную обговорити Samsung незабаром анонсує техпроцес 1 нм, масове виробництво запустять у 2026 році
Меня больше интересует что в дальнейшем, если все "упрутся" в 1нм, основание из нитрида галлия вместо кремния уже есть но это естесственно дороже.

[Sanьka]

Пропоную обговорити Samsung незабаром анонсує техпроцес 1 нм, масове виробництво запустять у 2026 році
Меня больше интересует что в дальнейшем, если все "упрутся" в 1нм, основание из нитрида галлия вместо кремния уже есть но это естесственно дороже.

Для маркетингової думки нема меж, техпроцеси вже давно стали чисто маркетинговим приколом.
Там по 1нм буде тільки якась частинка транзистора.

[Kashtan]

Пропоную обговорити Samsung незабаром анонсує техпроцес 1 нм, масове виробництво запустять у 2026 році
Меня больше интересует что в дальнейшем, если все "упрутся" в 1нм, основание из нитрида галлия вместо кремния уже есть но это естесственно дороже.

Всі упруться не в 1нм, а в вандерваальсовий розмір атому кремнію.

[Dilfin]

Пропоную обговорити Samsung незабаром анонсує техпроцес 1 нм, масове виробництво запустять у 2026 році
Меня больше интересует что в дальнейшем, если все "упрутся" в 1нм, основание из нитрида галлия вместо кремния уже есть но это естесственно дороже.

А мікропроцесори вже і зараз не дешеві, будуть ще дорожчі...

[MetalistForever]

Пропоную обговорити Samsung незабаром анонсує техпроцес 1 нм, масове виробництво запустять у 2026 році
Меня больше интересует что в дальнейшем, если все "упрутся" в 1нм, основание из нитрида галлия вместо кремния уже есть но это естесственно дороже.

Не бойтесь ! Маркетологи нарисуют вам Ангстремов на 10 лет вперед !

[Александр Попович]

Уже років 8 вони кожен рік хочуть усіх обігнати та щось йде не так.

[taras_cs]

Всі упруться не в 1нм, а в вандерваальсовий розмір атому кремнію.

Кремній (Si)
Радіус атома 132 пм

1 ангстрем [Å] = 100 пікометр [пм]

[KimRomik]

Всі упруться не в 1нм, а в вандерваальсовий розмір атому кремнію.

Кремній (Si)
Радіус атома 132 пм

1 ангстрем [Å] = 100 пікометр [пм]

Ну так поняття "ангстрем" саме звідси взяли. Точніше 1А приблизно дорівнює діаметру орбіти електрона атому водню.

Отправлено спустя 6 минут 44 секунды:

Меня больше интересует что в дальнейшем, если все "упрутся" в 1нм, основание из нитрида галлия вместо кремния уже есть но это естесственно дороже.

атом галію має порядковий номер 31 (кремнію - 14), так що не не вийде, бо занадто великий, майже в 2 рази
скоріш карбон (вуглець) виглядає більш перспективно

[vmsolver]

Спуститесь на Землю, до 1 нм ещё бежать и бежать, при 5 нм техпроцессе размер всей структуры транзистора 48х32 нм. Что касается некоторых критически важных параметров, типа толщины подзатворного диэлектрика, то они давно около физического предела и это никому не мешает и не останавливает развитие, потому что посмотрите на площадь всей структуры, там ещё уплотнять и уплотнять, а ещё можно надстраивать друг над другом и по-разному обыгрывать это топологически.

Прогресс ещё лет 20 будет прекрасно идти вперёд, конечно будут и затыки, и проблемы, поиск подходящих материалов и технологических процессов не всегда простой процесс, но так или иначе проблемы со временем решают или обходят, находят материалы и прогресс идёт дальше. Отставить панику, всё будет хорошо.

[Rederst]

Так вже який рік такі роблять. Це вже не новина.

[Kashtan]

Всі упруться не в 1нм, а в вандерваальсовий розмір атому кремнію.

Кремній (Si)
Радіус атома 132 пм

1 ангстрем [Å] = 100 пікометр [пм]

Чудово, тільки не розумію навіщо ви мене цитували. Вандерваальсовий розмір атому кремнію 210 нм. Меншим фізично не зробите напівпровідник.

[ronemun]

народ, величина 1 (3, 4, 7, 10, 14) нм техпроцесу це:
-приблизно (адже 1 чи 10 це дуже грубо)
-прийнятне (експертами, але з нальотом маркетингу)
-мінімально можливе теоретично (маркетинг завжди на стороні вигоди)
січення (переріз) якоїсь лінії.
Тож 1 нм теж важливий, адже зараз металізація, ще важливіша за сам транзистор, адже транзистор це н/п перехід, і він давно НІЩО. Це просто контакт металу і кремнію і все. А головне що 64 біт транзистор це просто матриця точок 8*8 з єдиною основою, а не 64 транзистора, зєднаних паралельно.
І навіть ще крутіше! Зарашня логіка це сітка, чисто зошит в клітинку, з певними розривами, які і є суттю.
шукайте SAQP
Це як Роздільча Здатність принтера - для нас нічого давно не значить, але просто тупо повторюючи ділення можна добитись Неймовірної Сили.
Крапля камінь точить!

[vmsolver]

народ, величина 1 (3, 4, 7, 10, 14) нм техпроцесу це:
-приблизно (адже 1 чи 10 це дуже грубо)
-прийнятне (експертами, але з нальотом маркетингу)
-мінімально можливе теоретично (маркетинг завжди на стороні вигоди)
січення (переріз) якоїсь лінії.

Сейчас техпроцесс просто имеет название в стиле старого привычного упоминания какого-то размера, только это давно не упоминание реального размера чего-то, а что-то вроде рейтинга, показывающего что-то похожее на то, насколько данный техпроцесс плотнее тех старых, когда размер там имел что-то под собой, причём приблизительно, потому что надо различать как бы "основные" техпроцессы, это как бы новые, базовые, и их улучшения, вот для основных рейтинг ещё кое как приблизительно работает, но со временем всё хуже, уже всё плохо и с этим, а для улучшенных там уже просто уменьшается число и какое получается так и называют, это уже просто маркетинг.

Тож 1 нм теж важливий, адже зараз металізація, ще важливіша за сам транзистор

Важны оба, и металлизация, и транзисторы.

адже транзистор це н/п перехід

н/п это p-n переход? Тогда нет, там используются полевые транзисторы, никаких p-n переходов в их конструкции нет, формируется канал из полупроводника, затем его покрывают тонким диэлектриком, а сверху металлизацией (затвор), при подаче напряжения на затвор, в полупроводнике, в зоне под диэлектриком, из-за сильного электрического поля скапливается заряд в виде тонкой "плёнки" и канал, его контакты по обеим сторонам, этой плёнкой замыкается, так как в этой области полупроводник вырождается в металл (по типу проводимости, а не физически конечно), при разряде подзатворной ёмкости, то есть снятия вышеупомянутого электрического поля, этот заряд возвращается в толщу полупроводника и проводящая плёнка "исчезает", транзистор закрывается. И главное, никаких p-n переходов.

А головне що 64 біт транзистор

не существует!

Це як Роздільча Здатність принтера

Астановитесь! Серьёзно.

[ronemun]

vmsolver
1. н/п - напівпровідник, тобто тільки в 1ну сторону. На основі нього вже працює ключ і т.п.
2. 64 біт транзистор це елемент логіки, звичайно я примітивно назвав. Подивіться як вигляє 8/16/32... елемент - це те що в 1 біт, тільки входів 8/16/32... але вихід все одно 1. Тому транзистор виглядає як 1 бітний, а входи - просто решітка замість 1ї площадки
3. Це як Роздільча Здатність принтера. Ви пишете: Астановитесь! Серьёзно.
Це ви спочатку подумайте, а потім пишіть, серйозно. Я ж привів силку на SAQP, тобто коли малі елементи отримуються з великих шляхом багаторазово нанесення.
Це ж і є суть принтера - тупе нанесення точок по матриці дає картинку. А тут лінії наносяться шар за шаром з незначним зміщенням, і лінії, нібито широкі, накладаючись зі зміщенням, створюють тонкі проміжки, тонші за самі лінії. Ці проміжки і є основою для маски. Це вже давно використовується, тільки це дорого і складно, дешевше було тонший техпроцес освоїти.

[vmsolver]

1. н/п - напівпровідник, тобто тільки в 1ну сторону. На основі нього вже працює ключ і т.п.

Полупроводник это такой класс материалов, они застряли между диэлектриками и металлами. Проводимость в одну сторону есть у p-n перехода, а не у полупроводника. Про это надо читать, а не сочинять сказки.

2. 64 біт транзистор це елемент логіки, звичайно я примітивно назвав. Подивіться як вигляє 8/16/32... елемент - це те що в 1 біт, тільки входів 8/16/32... але вихід все одно 1. Тому транзистор виглядає як 1 бітний, а входи - просто решітка замість 1ї площадки
3. Це як Роздільча Здатність принтера. Ви пишете: Астановитесь! Серьёзно.
Це ви спочатку подумайте, а потім пишіть, серйозно. Я ж привів силку на SAQP, тобто коли малі елементи отримуються з великих шляхом багаторазово нанесення.
Це ж і є суть принтера - тупе нанесення точок по матриці дає картинку. А тут лінії наносяться шар за шаром з незначним зміщенням, і лінії, нібито широкі, накладаючись зі зміщенням, створюють тонкі проміжки, тонші за самі лінії. Ці проміжки і є основою для маски. Це вже давно використовується, тільки це дорого і складно, дешевше було тонший техпроцес освоїти.

А это ересь городского сумасшедшего, ознакомьтесь со стандартной терминологией и только потом пишите, учебников в сети - даже не море, океан! А разбираться что вы там имели в виду никто не будет, я точно ничего не буду читать про n-битный транзистор, поэтому к "астановитесь" отнеситесь максимально серьёзно.

[S]

А мікропроцесори вже і зараз не дешеві, будуть ще дорожчі...

Зависит от потребностей, какой то Broadwell S2011-3 можно за ~$15 купить и его практически на всё бытовое хватает кроме топовых игр.

Отправлено спустя 1 минуту 51 секунду:

адже транзистор це н/п перехід

p-n это диод, а транзистор p-n-p или n-p-n

[Denvys5]

Зависит от потребностей, какой то Broadwell S2011-3 можно за ~$15 купить

Ага, особливо "новий"

[S]

Ага, особливо "новий"

Конфигурация ПК выбирается исходя из задач которые этот ПК должен решать. Если хватает Broadwell нет смысла платить больше и пофигу какой там техпроцесс.

[vmsolver]

p-n это диод, а транзистор p-n-p или n-p-n

совершенно верно, но структура n-p-n или p-n-p это биполярный транзистор, а мы говорим тут про CMOS микросхемы, где все транзисторы полевые (МОП, FET) и никаких p-n переходов в их конструкции нет.

[S]

(МОП, FET) и никаких p-n переходов в их конструкции нет.

Насколько я помню в МОП есть управляющий p-n переход.