в Самсунга 1 мікросхема TLC памяті = 256ГБайт. При цьому ціна 0,3дол/ГБайт. Переводим її в режим SLC, отримуєм в 4 рази більшу швидкість, і в 30-100 раз більшу зношуваність. Чому 100 раз? Тому що SLC память мала 10-30тис перезаписів, MLC - 3тис, TLC=0.3-1 тис. При цьому зменьшується латентність - адже пишеться 1 біт замість 3х, це значно коротший час. Зменшується напруга для перезапису, менше зношення комірки і час зміни напруги, а отже частота. Ціна зростає до 1 дол/Гбайт.
Отже необхідно порівняти Samsung nvme 1.0-1.2 Tбайт в режимі SLC
Отправлено спустя 17 минут 26 секунд:
Scoffer:chem
Ну і до чого тут рам диск?
На ebay ціна 1 ГБ DDR3 reg ecc памяті: планками по 4 ГБайт - 1,0-1,5 дол, по 8Гбайт - 1,5дол, по 16 ГБайт - 2-3дол.
На ebay за 400дол HP DL580 g7 з 128 ГБ (32х4ГБ), з 64 слотами памяті, 4х4=16 каналів. Сумарно від 64х4=256 ГБайт до 64х16=1Тбайт. Швидкість в IOPS поза межею мрій.
Можна розширити до 128 слотів, тре замінити плати памяті з 8 слотових на 16 слотів (від 40дол за шт), всього 128 слотів буде, тобто до 2 Тбайт.
10 слотів PCIe x4-8 rev2, де кучу nvme дешевих можна втикнути (2 QPI контролера)