Micron поделилась планами относительно SSD на основе памяти 3D XPoint

Обсуждение статей и новостей сайта
Відповісти
Автор
Повідомлення
edd
Member
Аватар користувача

Повідомлення

пока работает налаженная инфраструктура дойки народа на MLC/TLC - ни каких "3D XPoint" в массах (по крайней мере по вменяемой цене)
xe-xe
Member
Аватар користувача
Звідки: Киев/Феодосия

Повідомлення

Самсунг осилил, микрон с интелом не осилили.
Так и запишем.
ПавеL
Member
Звідки: Боровая(Харьков обл.)

Повідомлення

И видимо ССДшки будем так же в слоты РАМ ставить что бы добиться производительности ? :D
Scoffer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

xe-xe:Самсунг осилил, микрон с интелом не осилили.
Так и запишем.
Профіту від 3д не настільки багато. Фактично замінюється горизонтальна структура на вертикальну, тобто лише компактність, і ще не зрозуміло що з них дешевше в виробництві - 20 традиційних слоїв чи 40+ але з вдвічі меншою площею.
xe-xe
Member
Аватар користувача
Звідки: Киев/Феодосия

Повідомлення

Scoffer
Профит лично для меня очевиден - возросшая надежность флэшки за счет меньшего уровня детализации и меньшая цена чипа.
Scoffer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

xe-xe
В якому місці надійність виросла, якщо гранична кількість записів в 850 evo vs 840 evo навіть зменшилась? Хоч і не на багато. Ми вже сперечались на цю тему, і я приводив пруф з анандтечу.
Щодо ціни (роздрібної на весь ссд, скільки там окремий чіп коштує кінцевих користувачів не дуже цікавить) 850 pro/evo vs 840 pro/evo то я якось зменшення не помітив.
Melofon
Member
Аватар користувача
Звідки: Николаев

Повідомлення

Не сравнивайте 3д нанд от самсунга и 3д экспоинт от интела с микроном, это же разные архитектуры с похожими названиями и тем что 3д структуры, бо чет я не вижу у самса скорости как в дрэм !!!! :lol: А вот надёжность то как раз и уменьшаеться с уменьшением структур в современных ссд, вот поэтому-то самс и делает 40 нм в 3д для компактности!!! ;)
Scoffer
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Melofon
Принцип однаковий - просто повернули на 90 градусів транзистори обмінявши площу на кількість шарів і відповідно висоту. А те що у самсунга контролер значно кращий за мікронівський до самої технології 3d nand не має ніякого відношення.
xe-xe
Member
Аватар користувача
Звідки: Киев/Феодосия

Повідомлення

Scoffer
Вообще-то циклов на 850 evo по факту больше примерно в полтора-два раза. Это если брать реальные тесты.
Melofon
Member
Аватар користувача
Звідки: Николаев

Повідомлення

Scoffer:Melofon
Принцип однаковий - просто повернули на 90 градусів транзистори обмінявши площу на кількість шарів і відповідно висоту. А те що у самсунга контролер значно кращий за мікронівський до самої технології 3d nand не має ніякого відношення.
Если даже это и так, что принцип одинаков,в чем я сомневаюсь, тогда почему в самсах мы не видим скорости обещанной интелом с микроном? Я думаю там совсем не MLC, а то бы мы уже давно бы их увидели :gigi:
Відповісти