AMD може розробляти революційний ігровий рушій на основі ШІ

[Барбарис]

dead_rat, а що не так? Вона переважно й програвала, лише в деяких тайтлах чи режимах обганяла.
5080 і не дотягувала до 4090, попередній топ обганяла лише 5090.
Що такого смішного саме в першому випадку?

[fantomrulezz]

Завтра вийде новий трейсінг і ви нам розкажете, що ото усе було не те.

Чого далеко ходити, вже Рей Трейсінг матюкають, що то все відстій і Паф трейсінг наше фсьо

О, класичний приклад "нафіга нам нінужон технічний прогрес ваш"
Якщо ви не в курсі, то технологія трасування променів відома давно і застосовуєтсья десятки років в купі сфер: в кіно, в моделюванні і т.д.
Ще 10 років тому продуктивність чіпів взагалі не дозволяла застосовувати її в іграх, бо чипи не тянули реалтайм, а тепер поступово все змінюється.
Вийшли rtx 2xxx - з'явилась в іграх перша ітерація рейтрейсингу, хай і сильно спрощена, без множинних відображень.
Вийшли rtx 4xxx, продуктивність зросла - з'явилась можливість реалізувати в реалтаймі наступну ітерацію рейтрейсингу, вже з множинними відображеннями (трасування шляху).
Завтра вийде нова умовна rtx 6xxx - буде ще одна ітерація технології кращої якості.
Претензії до того, що технології поступово покращуються такі само маразматичні, як претензії до того, що технічний прогрес взагалі працює, а нові проци і карти потужніші за старі.

Завтра вийде новий трейсінг чип на 20% потужніше і ви нам розкажете, що ото усе було не те.

[dead_rat]

Завтра вийде новий трейсінг і ви нам розкажете, що ото усе було не те.

Чого далеко ходити, вже Рей Трейсінг матюкають, що то все відстій і Паф трейсінг наше фсьо

О, класичний приклад "нафіга нам нінужон технічний прогрес ваш"
Якщо ви не в курсі, то технологія трасування променів відома давно і застосовуєтсья десятки років в купі сфер: в кіно, в моделюванні і т.д.
Ще 10 років тому продуктивність чіпів взагалі не дозволяла застосовувати її в іграх, бо чипи не тянули реалтайм, а тепер поступово все змінюється.
Вийшли rtx 2xxx - з'явилась в іграх перша ітерація рейтрейсингу, хай і сильно спрощена, без множинних відображень.
Вийшли rtx 4xxx, продуктивність зросла - з'явилась можливість реалізувати в реалтаймі наступну ітерацію рейтрейсингу, вже з множинними відображеннями (трасування шляху).
Завтра вийде нова умовна rtx 6xxx - буде ще одна ітерація технології кращої якості.
Претензії до того, що технології поступово покращуються такі само маразматичні, як претензії до того, що технічний прогрес взагалі працює, а нові проци і карти потужніші за старі.

Завтра вийде новий трейсінг чип на 20% потужніше і ви нам розкажете, що ото усе було не те.

Саме так, технологій - уууух скільки.

Графон як був на піку в Відмак 3, так щось недалеко від нього пішов

По факту ігри вже дійшли стану кіно - коли чи то фільму 20 років чи вийшов учора, відразу і не скажеш. Скоро Кризісу 20 років, і тоді реально був прорив, вау. Зараз за 10 років доведеться з лупою шукати різницю на карті за 3к$

[lw_007]

Який напівпровідник має реагувати на фотони?

Так сталося, що в мене освіта по сонячним батареям - як раз задача поглитити фотони і виробити струм. І там все теж здебільшого на кремнії

Сонячна батарея(як і фотоелемент) це ж просто діод - така сама напівпровідникова фігня як і транзистори в проці. Просто більша

Кхм, фотоэлемент конечно диод, но транзисторы в проце не такая же фигня как полупроводниковый диод, потому что транзисторы в чипе полевые, где p-n переход не используется, проводимость канала зависит от сформированной напряженности электрического поля, p-n переход там рядом только лежит, в виде паразитной структуры, которая просто усложняет общую картину.

Большинство на кремнии, потому что A3B5 полупроводники дорогие и технологии работы с ними сложнее, а более сложные смеси ещё дороже. Кремний прост, легко делать диэлектрик, дешевый.

Ну и в солнечных элементах поликремний, а не монокристалл, это ещё дешевле.

Власне, паразитна структура, наскільки памятаю - паразитний діод.
І це ніяк не відміняє того що в транзисторі має бути перехід)

До кремнію можна додати що його, принаймі, вміють вирощувати в промислових масштабах.


І в сонячних панелях монокристалічний кремній масово використовується. І має вищий ккд, відсотків на 20-50

Відправлено через 2 хвилини 3 секунди:

Завтра вийде новий трейсінг і ви нам розкажете, що ото усе було не те.

Чого далеко ходити, вже Рей Трейсінг матюкають, що то все відстій і Паф трейсінг наше фсьо

О, класичний приклад "нафіга нам нінужон технічний прогрес ваш"
Якщо ви не в курсі, то технологія трасування променів відома давно і застосовуєтсья десятки років в купі сфер: в кіно, в моделюванні і т.д.
Ще 10 років тому продуктивність чіпів взагалі не дозволяла застосовувати її в іграх, бо чипи не тянули реалтайм, а тепер поступово все змінюється.
Вийшли rtx 2xxx - з'явилась в іграх перша ітерація рейтрейсингу, хай і сильно спрощена, без множинних відображень.
Вийшли rtx 4xxx, продуктивність зросла - з'явилась можливість реалізувати в реалтаймі наступну ітерацію рейтрейсингу, вже з множинними відображеннями (трасування шляху).
Завтра вийде нова умовна rtx 6xxx - буде ще одна ітерація технології кращої якості.
Претензії до того, що технології поступово покращуються такі само маразматичні, як претензії до того, що технічний прогрес взагалі працює, а нові проци і карти потужніші за старі.

Завтра вийде новий трейсінг чип на 20% потужніше і ви нам розкажете, що ото усе було не те.

Вони не розуміють різниці між real-time rendering та pre-rendering.

Власне, і крута генерація з нейромережами це зовсім не про real-time rendering )

[vmsolver]

Власне, паразитна структура, наскільки памятаю - паразитний діод.
І це ніяк не відміняє того що в транзисторі має бути перехід)

До крумнію можна додати що його, принаймі, вміють вирощувати в промислових масштабах.

І в сонячних панелях монокристалічний кремній масово використовується. І має вищий ккд, відсотків на 20-50

Нет правила "в транзисторе должен быть диод". В структуре полевого транзистора как системы элементов, использующих эффект электрического поля для изменения проводимости канала, нет никакого p-n перехода вообще. В реальности он получается как паразитная структура, сосуществующая с транзистором и ухудшающая его свойства (токи утечки при закрытом канале, например), но это именно пара транзистор + паразитный диод, а не как в биполярных транзисторах, когда транзистор физически состоит из двух p-n переходов.

Экономика влияет на то, что используется в промышленных масштабах, кремний оказался в этом смысле очень удачным материалом, ему и кристаллическую решетку научились растягивать (германием) и много чего придумали.

[ImperiumAeternum]

fantomrulezz
1. Я знаю, что это другая технология.
2. Графически результат идеален. И не х2 всего, а х2 динамических объектов, все остальное известно заранее.
3. Про эффективность даже не рассказывайте, пас трейсинг просаживает ФПС в разы.

[lw_007]

Нет правила "в транзисторе должен быть диод". В структуре полевого транзистора как системы элементов, использующих эффект электрического поля для изменения проводимости канала, нет никакого p-n перехода вообще. В реальности он получается как паразитная структура, сосуществующая с транзистором и ухудшающая его свойства (токи утечки при закрытом канале, например), но это именно пара транзистор + паразитный диод, а не как в биполярных транзисторах, когда транзистор физически состоит из двух p-n переходов.

Власне я й не писав ніби є "правило".
Просто так вже виходить, що транзистори не ідеальні, затвор має ємність, присутній паразитний діод ітд.

Тільки от я не розумію куди ви поділи p-n перехід і як працюють ваші тразистори.
Ок, JFET не беремо до уваги, тільки MOSFET.

В ваших транзисторах стік, витік і затвор знаходяться на кремнії одного й того ж типу провідності?

Чи може затвор все ж управляє каналом з іншим типом провідності, наприклад стік і витік n-типу, а затвор управляє каналом p-типу?

[vmsolver]

Власне я й не писав ніби є "правило".
Просто так вже виходить, що транзистори не ідеальні, затвор має ємність, присутній паразитний діод ітд.

Тільки от я не розумію куди ви поділи p-n перехід і як працюють ваші тразистори.
Ок, JFET не беремо до уваги, тільки MOSFET.

В ваших транзисторах стік, витік і затвор знаходяться на кремнії одного й того ж типу провідності?

Чи може затвор все ж управляє каналом з іншим типом провідності, наприклад стік і витік n-типу, а затвор управляє каналом p-типу?

Тип проводимости затвора? ))
Нет у него никакого типа проводимости, это просто проводник который через изолятор накрывает канал, в идеале металл.
Сток и исток одной проводимости, канал - инверсной.
Дело не в идеальности, в том что разные строения структур.

[fantomrulezz]

2. Графически результат идеален. И не х2 всего, а х2 динамических объектов, все остальное известно заранее.

Ем, в якому місці він ідеальний?
В методі з "клонуванням кімнати" на псевдовідображенні в дзеркалі або немає тіней взагалі або вони дивляться в інший бік.
Ви дивитесь не на відображення себе в дзеркалі, ви дивитесь на манекен, одягнутий як ви, що стоїть поруч.
Цей метод апріорі вкрай далекий від фізично коректного відображення у всьому що стосується освітлення.
Тоді як трасування дає фізично коректний результат.
Але так, логічно, що найкоректніший фізично розрахунок - він і найважчий по ресурсам.