l-m: ↑
16.06.2025 21:49
Якщо взагалі кращий:
Згідно з попередніми даними, TSMC N2 запропонує 313 мільйонів транзисторів на квадратний міліметр, Intel 18A матиме 238 мільйонів транзисторів на міліметр, а Samsung SF3 — 231 мільйон транзисторів.
це викривлена правда - густину транзисторів дають завжди для найменьших обєктів - комірка SRAM 1 біт, память, а вона давно просто матриця-блок по 32-64-128 Кбіт, і більшу площу там займає відстань між комірками, адже це все заживити і зчитати/записати, тобто металізація. + зараз легко добавляється як х3д кеш.
також ясно що в Інтел буде меньша густина адже вона орієнтується на високі частоти - для х86 це важливо бо вона має нижчу IPC ніж Apple ARM.
А для вищої частоти необхідні більші товщини ізоляції і т.п.. А це площа - 2 виміри, тож збільшення товщини на 10% збілшить площу на 21%.
Зате Інтел вже впроваджує живлення з другої сторони що сильно зменшить складність металізації і за рахунок цього зменшить розміри чіпа.
По суті саме складне це дуже густа металізація, а особливо величезна густина струму не дає зменшити блоки ядра - провідники немає куди далі зтоншувати, навіть якщо можеш - струм вимагає певної товщини інакше опір металу буде такий що прийдеться підвищувати напругу, а значить ще більші втрати, нагрів, а нагрів це витік струму в транзисторах і т.п. При цьому парадокс що чим довші провідники тим теж вищі втрати - і на струм, і на індуктивність, але лише лінійно.
АМД сама хвалилася що при розробці RDNA3 і Zen4 основним досягнення яке відкрило багато здобутків було саме розвести провідники щоб оптимально використати обєм шарів. А транзистори це не проблема.