Ок, я не знаток в цьому, але згідго тієї інформації, що є в гуглі - ви також не дуже спец. Бо значення "нм" для підкладки- це зовсім не значення "нм" для виготовленого чипу. Ось цитата з однієї статті по цій темі про 8нм китайських:Scoffer: ↑ 21.04.2025 03:06 Tiufin
Така собі контора SMEE серійно постачає DUV ArF сканери. На ArF сканерах інтол не так давно 10нм проци штампувала. З більшою кількістю масок можна осилити і тонші техпроцеси. Це не дуже вигідно фінансово, але чисто фізично можна.
Відправлено через 2 хвилини 39 секунд:Треба розуміти що це "за один прохід". За один прохід ніхто не робить з моменту як відійшли від планарної технології, та і до цього теж рідко. На типовому фінфеті це добрий десяток засвічень. І от тут і стає важливим параметр вирівнювання, від його точності залежить все.Tiufin: ↑ 21.04.2025 01:48В гуглі пишуть, що суто свої літографи у китайців є 28нм.
Як бачимо, розмір підкладки має віддалене значення від розміру чіпу. Бо EUV машини від асмл мають розмір підкладки 1,3нм. Але щось ми не бачимо таких чіпів, та ще довго не побачимо. То ж, і китайські 8нм - це щось далеке від реальності.One of the deep ultraviolet (DUV) lithography machines operates at a wavelength of 193 nanometres (nm), with a resolution below 65nm and an overlay accuracy below 8nm, according to a new list of “major technological equipment” published by the MIIT earlier this week. The other DUV machine has a wavelength of 248nm, with 110nm resolution and 25nm overlay accuracy, according to the list. The two machines are still far behind the most advanced options available on the market. One of Dutch equipment maker ASML Holding’s most advanced DUV machines, for instance, can operate at a resolution of below 38nm with an overlay accuracy of 1.3nm.
DUV machines also lag behind extreme ultraviolet (EUV) machines, which use light with a wavelength of just 13.5nm – almost 14 times sharper than DUV’s 195nm.
А ось ще одна стаття від 7 січня 25 року, від якогось китайця, який хвалиться революційними досягненнями Китаю у сфері літографії:
Він пише, що китайська smee зробила прорив та нарешті виготовила літограф 28нм, який, якщо видати з нього максимум, може друкувати 11нм чіпи. І що розмір підкладки у цього літографу - 1,9нм.A Watershed Moment for China’s Semiconductor Industry
On January 7, 2025, Shanghai Microelectronics Equipment (SMEE) delivered China’s first domestically developed 28nm lithography machine, marking a monumental leap toward reducing the nation’s reliance on foreign chipmaking technology. This achievement not only underscores China’s technological progress but also reshapes the dynamics of the global semiconductor landscape.
The machine is capable of producing 28nm chips through single exposure and achieving 11nm process nodes via multi-patterning techniques, positioning China to mass-produce mid-range chips critical for industries like automotive, IoT, and industrial applications. While it doesn’t yet rival ASML’s cutting-edge extreme ultraviolet (EUV) systems, this breakthrough represents a significant step toward strategic autonomy in semiconductor manufacturing.
Technical Milestones and Market Impact
SMEE’s lithography system boasts a stage overlay accuracy of approximately 1.9nm, enabling advanced multi-exposure processes that push the boundaries of domestic chip production.
https://www.linkedin.com/pulse/china-ac ... hang-fv3cc
То ж, по-перше, розмір підкладки - це зовсім не техпроцесс виготовлення чіпу (навіть при багатослойному друку, який значно здорожчує та сповільнює виробництво через великий рівень браку)
По-друге - на початок цього року китайці вихвалятися досягненнями у 28нм (та натякали на здатність у 11нм, але пока більш теоретичну, ніж реальну, бо на те, щоб навчитися так друкувати - теж потрібен час. Для прикладу - у tsmc зайняло кілька років, щоб на тих самих літографах перейти із друку 7нм на 4нм).
Ну і по-третє - ці всі китайські досягнення стосуються лише duv-машин. Duv дозволяє освоїти друкувати максимум 7нм. А для тонших техпроцесів треба euv-машини, які принципово відрізняються від duv по складності. Хоча китайці і обіцяють у 3 кварталі цього року випустити власний euv літограф, але вони і 28нм обіцяли з 20 року, а реально зробили лише у 24. І по-друге це не означає, що вони одразу зможуть штампувати на ньому сучасні техпроцеси. То ж, подивимося, але поки що реальні успіхи у китайців не такі вже й видатні.
Відправлено через 4 хвилини 41 секунду:
Ок, припустимо все так просто і так і є. Що тоді заважає західним компаніям друкувати tpu на 5нм? Вони будуть в рази енергоефективніші, ніж китайскі на 28нм.Scoffer: ↑ 21.04.2025 10:20Це відносно таких же спеціалізованих тензоропроцесорів. Відносно відях хуанга і лізи все не так однозначно бо ці відяхи сами по собі в жеруть набагато більше за TPU.vmsolver: ↑ 21.04.2025 09:41В энергоэффективности китайцы будут отставать из-за тонких техпроцессов, это неизбежно.Гугла наміряла різницю в 29 раз. Може щось там і прибрехали, але все одно різниця така що ніякий техпроцес не виправить. Тут з чисто енергетичної точки зору може виявитись що вигідніше на старих-добрих 28нм тензоропроци робити, ніж у хуанга скуплятись.
- спойлер
Відправлено через 10 хвилин 20 секунд:
Це, до речі, головна причина чому вінда вимагає окремого TPU і флопси з відеокарти їй не годяться: ноути з копілотом без TPU непристойно швидко розряжатимуться.
Відправлено через 7 хвилин 9 секунд:
Дивлячись для чого.vmsolver: ↑ 21.04.2025 09:41В энергоэффективности китайцы будут отставать из-за тонких техпроцессов, это неизбежно. Но для Китая это не особо важно, с их шизой, что всё в мире должны производить они, для чего они повторяют продукт и обваливают на него цену, так вот они найдут электричество.Tiufin: ↑ 21.04.2025 00:41Мені здається, тут головний параметр, на який треба дивитись - це продуктивність на ватт електроенергії.
Для того, щоб забезпечити власні потреби у чіпах для критичної інфраструктури - напевно енергоефективність неважлива.
Для виходу на споживчий ринок і заробітку грошей - критично важливо. І не лише для ринку мікрочіпів,але і для суміжних ринків. Наприклад, китайський смартфон, який розряджається значно швидше ніж західний - мало хто купить у світі.
Для розвитку ШІ - враховуючи, що для датацентрів із ШІ в тих же штатах планують будувати багато нових електростанцій, то напевно енергоефективність теж досить важлива. Хоча тут поки теоретичні припущення, бо ще невідомо, наскільки сильно виросте ші галузь, скільки датацентрів (та відповідно електростанцій) вона потребуватиме.
Сучасна фотолітографія це багатокроковий процес. Власне, він завжди багатокроковим був, але з того часу як поклали транзистори на ребро (фінфет), обійтись одним чи навіть парою-трійкою прогонів через сканер не вийде. Потрібно пройтись раз так 10-20 і вище з різним набором масок, нанесенням хімози і травлею між засвітами для DUV FinFet, і 40-50 для EUV і отих модних транзисторів з круговими затворами. Це перше. Друге що треба усвідомлювати - набір хвиль, котрими засвічують пластини сильно обмежений, для DUV це аж дві - 193-nm ArF i 248нм KrF, для UEV одна - 13.5нм. І все, з цим всі сканери в світі працюють. Точність формування якогось елементу за один прогін у всіх +/- однакова для однієї довжини хвилі. Очевидно для того щоб за декілька прогонів не отримати розмазню потрібна точність накладання (а не підкладки ніякої, як ти пишеш) матриць в одне і те ж саме місце. ASML "попереду планети всієї" і у неї точність накладання вище, що це означає? Вірно, те що на їхньому останньому DUV обладнанні потенційно можна зробити не тільки 10нм як в інтелі, а і 7, і 5, і може навіть 3 і 2нм при знатному бажанні і сумнівних фінансових перспективах тупо збільшуючи кількість матриць і етапів формування елементу. Китайці поки що не можуть на таких тонких матеріях працювати, але вони наче і не віщали ні про які 3нм.
