Для перших мікросхем Samsung GDDR7 заявлено швидкість 28 і 32 Гбіт/с

[n+gibat[]r]

Предлагаю обсудить Для перших мікросхем Samsung GDDR7 заявлено швидкість 28 і 32 Гбіт/с
Ясно, понятно, RTX50X0 пропускаем, копим на RTX50X0 Super с не обрезанной по скорости памятью, и как раз все детские болезни по типу раннего отвального микрона пропустить

[Vpupkin]

Ясно, понятно, RTX50X0 пропускаем, копим на RTX50X0 Super с не обрезанной по скорости памятью, и как раз все детские болезни по типу раннего отвального микрона пропустить

А через год после суперов будет 60хх
А условная 5090 будет актуальной на год дольше, наверное.

[stakanctl]

Ясно, понятно, RTX50X0 пропускаем, копим на RTX50X0 Super с не обрезанной по скорости памятью, и как раз все детские болезни по типу раннего отвального микрона пропустить

RTX50X0 Super тоже пропускаем, и ждем RTX50X0 Ti Super, потому что порезанные частоты и производительность. RTX50X0 Ti Super в итоге выйдет аналогичной RTX50(X+1)0 за меньшие деньги.

[CrypteX]

Опа, еще одно оправдание для ждунов

[dret09]

Дуже чекаю на 5080, але якось сцикотно за ціну...

[VovaVMS]

Саме цікаве це:
- Мікросхеми Samsung GDDR7 мають об'єм 2 ГБ і робочу напругу всього 1,1 В. Samsung каже, що щодо GDDR6 енергоефективність підвищена на 20%, а нагріватись пам'ять буде значно меншою.
- в новій пам'яті використовуватиметься версія модуляції PAM-3 з трьома сигнальними рівнями (-1, 0 і +1), що дозволить передавати відразу три біти інформації за сигнал.

Тобто може таки відвалів буде менше ? А пропускна здатність для середнього класу карт збільшиться на 30% за "просто так" - читай АнтиАліасінг та фільтрація текстур (може й FSR?) буде краще і знов таке "безкоштовне"?

PS - а тут говорять що PAM-3 більше гріється і "використовує більше жаростійкий компаунд". МОже буде як із першими гігабітними картами Ethernet які мали радітори більше ніж у відюх.

[ronemun]

Не розумію, навіщо самсунгу і іншим випускати gddr6-7, якщо на тій же технології можна HBM3-4, ціна на яку в 3-5 раз вища, а попит такий що вже продане (читай отримані гроші) все що тільки планують випустити за цей рік, і контракти підписані на 25-26 роки. До того ж бум ШІ тільки почався, і планує бути в рази страшнішим за майнінг - Китай вже хоче світову війну за це почати (чомусь раніше їх Тайвань не дуже свербів)

Відправлено через 5 хвилин 55 секунд:

Саме цікаве це:
- Мікросхеми Samsung GDDR7 мають об'єм 2 ГБ і робочу напругу всього 1,1 В. Samsung каже, що щодо GDDR6 енергоефективність підвищена на 20%, а нагріватись пам'ять буде значно меншою.
- в новій пам'яті використовуватиметься версія модуляції PAM-3 з трьома сигнальними рівнями (-1, 0 і +1), що дозволить передавати відразу три біти інформації за сигнал.

Тобто може таки відвалів буде менше ? А пропускна здатність для середнього класу карт збільшиться на 30% за "просто так" - читай АнтиАліасінг та фільтрація текстур (може й FSR?) буде краще і знов таке "безкоштовне"?

PS - а тут говорять що PAM-3 більше гріється і "використовує більше жаростійкий компаунд". МОже буде як із першими гігабітними картами Ethernet які мали радітори більше ніж у відюх.

HBM має 16, і вже 24 Гбайт на мікросхему, тобто в 8 раз більше ніж у GDDR6, так само DDR5 7200 в серверних планках чи LP ddr5x в телефонах/ульрабуках/Apple Mx - і чомусь нічого не відвалюється. Очевидно причини відвалу були в порушенні технології, а не в самій швидкості. Весь світ вже перейшов на SerDes 112 Гбіт/с PAM4 і вже йде виробництво 224 Гбіт - і нічого не відвалюється (у Synopsys вже є повністю робочі контролери Ethernet з 224 Гбіт на лінію, і 1.6 Тбіт на порт, хоча стадарт приймуть тільки через рік/два)

[Scoffer]

ronemun
Тому що якщо почнуть випускати, то не буде в 5 раз дорожче