Выбор оперативной памяти

[Ray2000gt]

Ветка по выбору и обсуждению оперативной памяти. Тут даем советы, и отписываемся о впечатлениях от использования оперативной памяти.

Статистика разгона ведется в отдельной ветке.

Прежде чем задать вопрос, ознакомтесь с FAQ!



Написать отзыв/жалобу/пожелание по действиям куратора можно в теме: Кураторы тем

[a_z_z_y]

maxsvt
Точно 1.25в ?

[maxsvt]

maxsvt
Точно 1.25в ?

ну пусть 1.3 Но не больше

[a_z_z_y]

maxsvt
Якісь дивні у вас таракани вимоги
Можете поділитися?

[maxsvt]

Надо для старых игр комп собрать. И что бы оно максимально долго потом работало (10+ лет). Будет там семерка и XP. Последний чипсет, на который можно поставить XP с бубнами и плясками (но можно), это z490. Ну т.е. сейчас я еще смогу собрать новый комп на такой конфигурации, а через несколько лет будет только бу. Далее хотел немного память разогнать. На анандтеч писали, что деградация контроллера памяти у 10-11 поколения начинается уже при превышении 1.2в + 5%. Поэтому выясняю, на каких чипах памяти можно погнать ее немного при этом еще и понизить напряжение относительно 1.35в. Вот такая логическая цепочка)

[a_z_z_y]

maxsvt
Почитайте уважніше і зрозумійте різницю між напругами на плашках оперативки та контроллера пам'яті (всередині самого процесора)

[maxsvt]

a_z_z_y
да я знаю. Я вначале не поверил. Потом начал много отзывов читать. Есть много отзывов у народа, которые ставили стандартный XMP профиль на 3600, а потом через 2-3 года память память переставала держать разгон. Замена памяти не меняла ситуацию. Т.е. контроллер памяти. Может плата при использовании XMP с повышенным напряжением задирала напряжение на контроллере, может так действует повышенная нагрузка при разгоне с повышенным напряжением. Короче вот, там есть немного о связи с напряжением на планках памяти

спойлер

Long and overly drawn out version.

DRAM is a capacitive device.
That is, a DRAM bit cell consists of a capacitor that is either charged to a high voltage (1) or charged to a low voltage (0).

Unfortunately being capacitors, these cells loose their charge quite quickly, it drains away again through various effects. So the charge in the capacitor needs to be copied and ‘refreshed’ with it’s own value both when being read or at a set interval to ensure the bit is not lost. In fact this is where the Dynamic aspect of DRAM comes from, it fades and needs to be refreshed. It is not fixed like Static SRAM that uses switched transistors.

Now when you overclock the RAM, there are a lot of things going on, but the basic principles can be reduced to a few key factors.

First, as with all things we need to consider the ever present issue of time

1. In computers a cycle consists of one full clock pulse.
2. All RAM operations take a specific fixed number of cycles to complete
2.1 some occur in 1, 2, 4, 8 more cycles.
2.2 The fundamental operations like reads and writes use fixed cycle periods.
3. Some special operations are commonly associated with having ‘latencies’ measured in clock cycles
3.1 usually most of these are ‘wait states’, for letting things settle.
4. Higher frequencies mean that each cycle takes a shorter fraction of time.
4.1 Thus operations complete in less time, even though they may still take the same amount of time.

And therein lie some problems. Capacitors don’t charge and discharge instantly. They take some small amount of time to do so.
Under normal operating conditions at the default clock frequency of the ram, there’s plenty of time for that to occur.

But if we overclock, we give the capacitors less and less time to charge and discharge as well as be read and refreshed with their own state.

So we might increase the voltage, since capacitors charge faster at higher voltage (voltage is effectively electron pressure). So now we once again can charge our capacitors within the reduced amount of time we have for each clock cycle.

Now when a cell is read, its stored energy is actually depleted and needs to be recharged, so there are transistors and latches arranged around a sense amplifier that keeps a copy of the cell contents and refreshes the cell after being read. In addition there is a lot of logic for address encoding & decoding and helper circuitry.

The thing is there is a lot of peripheral circuitry assembled around the actual capacitive cell that is not so tolerant to increasing voltage and is also more prone to interference, and other electrical effects.

Compared to this support circuitry the actual capacitors themselves can tolerate incredibly high voltages. In some tests around 6-7V. But even here as voltages increase, so does resistive heating and hot capacitors loose their charge faster.

By comparison your memory controller and most of the support circuitry in a modern DDR4 system will have gone up in smoke not far from the 2V mark. (Assuming you’re not using exotic cooling)

And I haven’t even gotten into noise and signal reflections and interference which is a far more complex issue and contribute a greater deal to problems in high frequency memory overclocking.

So in short overclocking memory leads to:

1 less time per unit cycle = faster operations (good)
2 less time to charge (discharge time is negligible) = possibly lower capacitor charge (bad)
3 This can be corrected by increasing memory voltage (good)
4 Read & written memory is instantly refreshed, but unaccessed memory may fade and loose it’s correct state if the special refresh cycles don’t occur often enough. (bad)
5 Increased susceptibility to interference and power noise. (bad)

Overvolting memory leads to:

1 faster capacitor charging (good)
2 Higher capacitor charge retention (good)
3 Increased signal to noise ratio (good)
4 Increased heating (counter acts higher charge retention due to increased leakage current at higher temperature) (bad)
5 Increased memory current (more power used by the CPU memory controller and RAM) (bad)
6 Increased transistor degradation rate (Memory controller and DRAM support circuitry) (quite bad)

Ну в общем вопрос в том, как разогнать так, что бы минимально деградировал контроллер памяти в проце

[Artem_K]

maxsvt
В ХМР напряжение конкретное прописано и это на планки памяти (преимущественно 1,35В и до 1,6В у модулей 5000+). А вот на контроллер памяти при настройке авто платы бывает наваливают от души. Для примера, у меня на профильной системе в авто режиме SA не то 1,38 не то 1,42В (точно уже не помню), а при ручной настройке 1,21В работает с 4-мя планками.
Руками выставляете рекомендуемые VCCSA и VCCIO (https://github.com/integralfx/MemTestHe ... 20Guide.md или перевод этой статьи https://i2hard.ru/publications/24111/ ) и если все ОК, то начинаете снижать и тестировать на стабильность. Там же все про разгон.
PS. На Интеле я бы забил на 1Т - толку в прямом смысле 1-2%, а разгону мешает сильно.

[a_z_z_y]

Ну в общем вопрос в том, как разогнать так, что бы минимально деградировал контроллер памяти в проце

Налаштувати все вручну , а не покладати що в ХМР все буде гаразд.
Вам вище вже написали що в "авто" при виборі ХМР біос плати може давати напругу з занадто великим запасом.
Тому беріть оперативу що подобається і вчіться танцювати з бубном навколо налаштувань в біосі

[maxsvt]

Artem_K

Для примера, у меня на профильной системе в авто режиме SA не то 1,38 не то 1,42В

жесть. Так да, долго не протянет

при ручной настройке 1,21В работает с 4-мя планками

а на какой частоте удалось заставить планки работать?

разгону мешает сильно

ну у меня сейчас приоритет на стабильность. Надо что бы 10+ лет отработал (я понимаю, что через 2-3 года уже не куплю ничего нового под s1200). Так что сейчас собираю комп под старые игры надолго
a_z_z_y

Вам вище вже написали що в "авто" при виборі ХМР біос плати може давати напругу з занадто великим запасом

ну скорее всего это и была причина, что у народа на XMP деградировал контроллер на проце

[OFFF]

Що краще з DDR5 6000 - 7200 samsung b-die, hynix M-die, A-Die?

[Megaclite]

Що краще з DDR5 6000 - 7200 samsung b-die, hynix M-die, A-Die?

якщо для Zen4 то різниці особої нема
якщо для Raptor Lake то Hynix A-die

[Artem_K]

а на какой частоте удалось заставить планки работать?

Это 3000-е Баллистики на Micron rev.E - в разгон они хорошо могут. Так как просторный вентилируемый корпус остался в Бахмуте и сейчас система собрана в компромисном корпусе, то планки пока работают в разгоне с андервольтом 3466@16-18-18-36 при 1,28V Из прикидок - все четыре планки умеют в 3600@16-18-18-36 - в работе проблем предварительно не выявлено, но мемтест5 уже не проходят при стандартных 1,35В.

[OFFF]

якщо для Zen4 то різниці особої нема
якщо для Raptor Lake то Hynix A-die

Якщо під раптор Hynix A-die g.skill краще 21A чи 20А?

[Megaclite]

якщо для Zen4 то різниці особої нема
якщо для Raptor Lake то Hynix A-die

Якщо під раптор Hynix A-die g.skill краще 21A чи 20А?

то в G.SKill вже питати треба

[maxsvt]

Artem_K

3466@16-18-18-36 при 1,28V

спасибо за инфу. Вот как раз интересовало, какие из модулей могут немного гнаться при напряжении ниже 1.35в

[yellosax]

Подскажите, у меня на материнке PRIME B460M-K стоит одна планка памяти DDR4-2666 8Gb PC4-21300 HyperX Black Fury (HX426C16FB3/8) Понимаю что памяти не хватает хочу добавить ещё одну планку на 8Gb но именно эти модули сняты с производтва. Есть на розетке Fury DDR4-3200 8192MB PC4-25600 Beast Black (KF432C16BB/8) На сколько критично чтоб модули были абсолютно одинаковые. На сколько я понимаю память на материнке у меня не двухканальная.

[ASTON]

yellosax
критично... якщо розганяти.. та й так теж

[ya98]

yellosax, найдите в своём городе продавца который даст возможность проверить совместимость. Большинство адекватных продавцов на олх дают время на проверку. Ну а кто не хочет пойти на встречу покупателю - развивающийся флаг в руки и пусть идёт продавать дальше.

[WalkMan]

DDR4-2666 8Gb PC4-21300 HyperX Black Fury (HX426C16FB3/8)

покажи що про модуль говорить Thaiphoon Burner, оскільки тут кінгстон використовує не стандартний набір таймінгів для JEDEC, важко щось запропонувати. Тому, ймовірніше підібрати модуль на таких же чипах, щоб можна було завести на параметрах від hyperX

[yellosax]

Спасибо за советы. Разгонять я вряд ли буду память. Просто 8гб уже не хватает. А как проверять совместимость ? Воткнул заработала, значит ок ? Я не сильно разбираюсь в укзко специализированных программах типа Thaiphoon Burner, попробовал скачал, но ничего не понял что с ней делать )))