Заглянуть за горизонт: TSMC разрабатывает 2-нм и более тонкие техпроцессы

[gehka3]

sergey2400
Транзистор, переход его, откроется в зависимости от разности потенциала затвора и истока, и чем выше разность (чем большее напряжение на затворе относительно истока, вне зависимости от полярности напруг) - тем больше открыт транзистор в направлении согласно его канальности (n или p) - от стока к истоку или наоборот
Короче это всё основы по полевичкам, я к чему: "уровни" - это всё относительные понятия, гляньте ссылочку что привёл, там более красочно описал человек про эти уровни и нейросети

[sergey2400]

двойка с минусом за матчасть

Вот так и появляются недопонятые гении квантовые спецы-механики

Общепринятого образования у меня мало: 8 кл + 2 курса ПТУ, но с другой стороны я не ограничен всеобщими понятиями. Мне например в школе удалось собрать радиоприёмник (по собственной схеме), который ловил лучше подавляющего большинства фабричных. Делал маленькие радиостанции, логические процессоры на микросхемах 155 и 176 серий, и подобное. Форсирую различные ДВС, например, по лодочному мотору suzuki df4-6 у меня рекорд (среди отметившихся на профильном форуме). Программирую на Purebasic и Асме, да много чего умею...
В общем, нутром чувствую что можно такой транзистор сделать, и всё тут.

Отправлено спустя 3 минуты 51 секунду:

sergey2400
Транзистор, переход его, откроется в зависимости от разности потенциала затвора и истока, и чем выше разность (чем большее напряжение на затворе относительно истока, вне зависимости от полярности напруг) - тем больше открыт транзистор в направлении согласно его канальности (n или p) - от стока к истоку или наоборот
Короче это всё основы по полевичкам, я к чему: "уровни" - это всё относительные понятия, гляньте ссылочку что привёл, там более красочно описал человек про эти уровни и нейросети

Я это понимаю.

[gehka3]

если на затвор пришёл сигнал 3 то трнзюк будет приоткрыт например на 30 %

можно такой транзистор сделать

Та он давным давно сделан и именно так себя и ведёт (в относительных величинах), или про шо мова?
Таки про триггер/ячейку памяти, или полевик, умеющий в нужный уровень в зависимости от управления на затворе?

[dead_rat]

я не ограничен всеобщими понятиями.

К сожалению, большинство людей вокруг такие же, неограниченные познаниями

[Kotya]

Сам транзистор должен переключаться не между 0 и 1, а например может быть в состоянии 0,1,2,3,4,5,6,7,8,9.

Патентуйте, чего уж там

[mavrsmart]

спойлер

т.е. были такие техпроцессы:

...
130нм - 2001й год
90нм - 2002й год
65нм - 2004й год. Здесь развитие полностью остановилось, не спроста у Интела не получался 45й тп, потому-что они замахнулись на модные "5нм" (48нм (5нм)).
65нм+ (45нм) - 2006 год
65нм++ (32нм) - 2009 год
65нм+++ (22нм) - 2009 год
65нм++++ (14нм) - 2014 год
65нм+++++ (10нм) - и тут видим, как Интел решила еще раз замахнуться уменьшить затвор ниже 65нм и опять неудача.
57нм (7нм)
48нм (5нм)
39нм (2нм)
30нм (1нм)

В результате получается уменьшают дорожки, разворачивают транзисторы, но кроме ухудшения ТТХ данное виртуальное уменьшение ничего не даст. Скоро будем видеть техпроцессы 100, 50пм в которых транзистор будет иметь затвор 25нм.

[vltk]

mavrsmart
То что вы описали, это часть целого, не отражающее конечной целевой функции — рост производительности и/или снижение тепловыделения. Это отмазка для оленей в оправдание технологического провала интела, распространяемая им же. Мол главное затвор и токи (тепловыделение) через него — мол типа раз он практически не меняется, то мы не отстали.
Мне лень искать свежее, но по памяти, начиная с технологии 10-7-5-3нм, тепловыделение от металлизации (разводки активных элементов) превышает (уже на 10нм было больше половины) все более тепловыделение от транзисторов, неважно планаров или объемных. Приходится уже переходить на наборы редкоземельных элементов (с уменьшением сечения, растет сопротивление, т.е. выделяемое тепло) для возможности снижения этой тепловой составляющей. Но если вам удается на новых нм уменьшать все остальные элементы м/х (процов), то вы в любом случае выигрываете в в целевой функции.
По 0-9 на управлении транзюками — нельзя забывать как их много одинаковых и нужна логика и конечно конструктив технологический и все это надо связать. Только сейчас в квантовых процессорах/компах вводится третье состояние кроме 0 и 1. И при росте кол-ва кубитов в которых каждый активный элемент имеет три состояния (совершенно при других скоростях/частотах их работы) уже требуется совершенно другая логики (программное обеспечение) для решения текущих вычислительных задач.

[waryag]

В общем, нутром чувствую что можно такой транзистор сделать, и всё тут.

Можно, но зачем? Количество создаваемых проблем превосходит потенциальный профит на порядки.

спойлер

[Zzzz]

8 ядерный райзен 7нм: офигевает от жизни, когда отводит тепло с кристалла на крышку и при 90Вт греется под 100.
TSMC: 2нм, горите в аду при 25Вт

з.ы. для интеллектуалов, это не камень в огород амд, смотрим профиль

[Rimsky]

8 ядерный райзен 7нм: офигевает от жизни, когда отводит тепло с кристалла на крышку и при 90Вт греется под 100.

офигевает кулер - поток мощности увеличился в два-три раза!
из-за чиплетной компоновки основные "грелки" сместились по углам и если кулер с прямым контактом - работают полторы трубки, даже если с площадкой получается все равно полпятки работают, IO чиплет греется не так сильно, есть подозрение что он наоборот подогревается