Samsung работает над накопителями с 96-слойной флэш-памятью QLC 3D V-NAND

Обсуждение статей и новостей сайта
Ответить
Автор
Сообщение
Graveworm
Member
Аватара пользователя
Откуда: посеред Ніде

Сообщение

Предлагаю обсудить Samsung работает над накопителями с 96-слойной флэш-памятью QLC 3D V-NAND
скорость чтения и записи около 520 МБ/с (при условии работы в рамках SLC-кэша)
:banghead:
Sanьka
Member
Аватара пользователя

Сообщение

Таким темпом МЛЦ будет все сложнее найти :(
CronXPX
Member
Аватара пользователя
Откуда: France

Сообщение

Минус всего предприятия - 1K перезаписей :gigi:
Izraphail
Member

Сообщение

CronXPX:Минус всего предприятия - 1K перезаписей :gigi:
Для таких как вы, в статье написано, что сиё чудо ориентировано на системы WORM. Но нет, мы будем пускать пузырики из соплей на форуме, что перезаписей мало....
NiTr0
Member

Сообщение

CronXPX:Минус всего предприятия - 1K перезаписей :gigi:
на деле думаю куда меньше будет. если TLC, в лице всяких там WD black nvme, обещает от 300 до 600 циклов.
coffeeman
Member
Аватара пользователя

Сообщение

Новые 3D NAND TLC имеет ресурс ок. 3k
VovaII
Member
Аватара пользователя

Сообщение

NiTr0:на деле думаю куда меньше будет.
Если диск используется как файлохранилище, например для раздачи торрентов, то там и 100 перезаписей хватит на много-много лет.
Единственная проблема, как операционку отучить на него что то писать вообще??? Торент то можно настроить, что раздаваемые файлы на отдельном диске.
MORTAL
Member
Аватара пользователя
Откуда: Черкассы

Сообщение

Izraphail
Посмотрим как вы будете пускать пузыри по поводу перезаписи когда
массовыми подобные решения станут в 2020 году.
и со временем условно говоря в каком то 2025 это вдруг станет самым надёжным что можно будет купить простому юзеру
Scoffer
Member
Аватара пользователя

Сообщение

Izraphail
Проблема в тому, що контролер сам по собі перезаписує данні для оновлення заряду. Невідомо тільки наскільки часто це потрібно для QLC. Раз на місяць? На тиждень?
IIAHKO
Member

Сообщение

Scoffer:Izraphail
Проблема в тому, що контролер сам по собі перезаписує данні для оновлення заряду. Невідомо тільки наскільки часто це потрібно для QLC. Раз на місяць? На тиждень?
Ну если грубо прикинуть полу-миф что ССД нельзя оставлять отключенным больше 2 недель, то выходит ~26 перезаписей в год если ячейку записали в начале года и дальше юзали только чтение.
В таком случае даже 500 перезаписей - космическая цифра.
Поправьте где ошибки.

Если будет дешево, то это вполне себе кандидат на вытеснение HDD.
KimRomik
Member
Аватара пользователя

Сообщение

IIAHKO:
Scoffer:Izraphail
Проблема в тому, що контролер сам по собі перезаписує данні для оновлення заряду. Невідомо тільки наскільки часто це потрібно для QLC. Раз на місяць? На тиждень?
Ну если грубо прикинуть полу-миф что ССД нельзя оставлять отключенным больше 2 недель, то выходит ~26 перезаписей в год если ячейку записали в начале года и дальше юзали только чтение.
В таком случае даже 500 перезаписей - космическая цифра.
Поправьте где ошибки.

Если будет дешево, то это вполне себе кандидат на вытеснение HDD.
пусть сначала решат проблему утечки заряда, но вместо того производитель тратит свои ресурсы лишь на усовершенствование контроллеров и оптимизацию работы SSD
python
Member

Сообщение

coffeeman:Новые 3D NAND TLC имеет ресурс ок. 3k
Это заявленный или гарантированный ресурс. По тестам на выносливость выходит больше. 3d v-nand tlc от Самсунга около 25к перезаписей до смерти перенес или около 6 петабайт данных. Вполне даже неплохо, пусть даже реальному юзеру попадется не настолько удачный девайс, но даже в два раза хуже это нормальные цифры. У меня винт на домашнем компе записал всего около 30 Тб, а ему лет 5-7 уже. Так что думаю лет на 10 хватит SSD а там уже и какая нибудь фазовая память станет массовой.
silenttornado
Member

Сообщение

KimRomik: пусть сначала решат проблему утечки заряда, но вместо того производитель тратит свои ресурсы лишь на усовершенствование контроллеров и оптимизацию работы SSD
А чи це можливо для nand взагалі? Розвиток іде у напрямку зниження об'єм/ціна, це зараз найважливіше для користувацьких систем, котрі на сучасних ОС не можуть нормально працювати на HDD.
Втрата заряду це проблема технології, котра звичайно стає помітнішою при T/Q-LC, і не думаю що її вирішать раніше ніж nand вимре. Але поки що навіть аналогів нема.
NiTr0
Member

Сообщение

python:3d v-nand tlc от Самсунга около 25к перезаписей до смерти перенес или около 6 петабайт данных. Вполне даже неплохо
проблема в том, что никто в этих тестах не пытался прочитать инфу с ССД не сразу же после записи, а хотя бы через месяц. потому и получаютсяволшебные цифры, не имеющие никакого отношения к реальности.

флэш-память - она перед тем, как протереться до дыр, сначала "всего лишь" перестает держать долго заряд. ну т.е. сегодня все пишется-читается, а завтра утром - ой, данных нет.

Отправлено спустя 2 минуты 6 секунд:
silenttornado:А чи це можливо для nand взагалі?
а тут не только NAND болеет - любая флэш-память протирается. хоть NAND хоть NOR хоть прочая EEPROM и даже EPROM с УФ стиранием.

что-то с этим придемали в optane (который не совсем классическая флэш, но технических подробностей пока не особо видно), там ресурс поболее чем у SLC.
VovaII
Member
Аватара пользователя

Сообщение

NiTr0:optane
Там, вроде фазовая память. Только, чтобы ей отличаться фазой, нужно относительно много материала для каджой ячейки. Потому плотность пока плохая == стоимость потому большая. Возможно многослойность как то снизит цену?
CronXPX
Member
Аватара пользователя
Откуда: France

Сообщение

Izraphail:
CronXPX:Минус всего предприятия - 1K перезаписей :gigi:
Для таких как вы, в статье написано, что сиё чудо ориентировано на системы WORM. Но нет, мы будем пускать пузырики из соплей на форуме, что перезаписей мало....
Я буду? Нет, что вы, мне моих MLC & TLC хватает. Я просто мимо породил и выразил общее настроение по поводу QLC с некоторой долей шутки. А то что там обещают это все понятно, не в первой. Вот когда будут тесты - тогда сделаем окончательные выводы, технический прорыв или маркетинговая шелуха. B-)
Ответить