Новость дня: предварительные спецификации NVIDIA GF100 Fermi

[bitrate]

GF100 просто адСко большои чип и наверное будет адЦко дорогои, + разводка платы дороже ATi-шнои

Ты явно не в теме, у нвидии чип не большой - он просто растет в ширину, в то время как у ати в высоту (больше слоев.)
Еще со школьных курсов физики известно что с большей площади легче отводить тепло, вот и сгорают радиошки гораздо чаще, т.к греются сильнее

"ПЕЧ380" будет подороже HD5970 особенно по началу, тут я думаю не поспорить

она и должна быть не намного дешевле, каму нужен кривой крос если в одной половине игр он не работает, в другой лагает.
Всегда одночипы больше ценились, кроссы лепят единици. из-за описанных выше причин.
Sli тоже далеко не идеал, бутерброды маразм!

зы: Я еще удивляюсь где отрыли Radeon HD 3870X2 на недавнее тестирование, они же все тоГО уже… спеклись… такие карты долго не живут.
Даже есть золотое правило, поюзал бутер с год – продай, пока коньки не откинула

[вФокусе]

bitrate что правда литографическое оборудование уже многослойную печать делает

[shailim]

Ты явно не в теме, у нвидии чип не большой - он просто растет в ширину,

)) очуметь...
количество транзисторов вам типа ни о чём не говорит? У р870 2,16 млрд, у ферми 3,1 млрд - куда там кто растёт?

[bitrate]

вФокусе а-то, яндекс знает ответ
HD 4850/RV770 - 55-нм, площадь ядра равна 256 кв.мм, число транзисторов равно 956 млн
GTS 250/G92b - 55-нм, площадь ядра равна 330 кв.мм, число транзисторов равно 754 млн

количество транзисторов вам типа ни о чём не говорит? У р870 2,16 млрд, у ферми 3,1 млрд - куда там кто растёт?

ты конечно же будешь судить о его величине по теплораспределительной крышке, на которой ати традиционно экономит

[Serfer]

Ты явно не в теме, у нвидии чип не большой - он просто растет в ширину, в то время как у ати в высоту (больше слоев.)

Интересные данные, откуда?

[вФокусе]

bitrate ссылку пожалуйста
кроме объемных структур в MLC я не о чем не слышал многослойном

[bitrate]

Для создания очередного слоя на полученном рисунке схемы выращивается дополнительный тонкий слой диоксида кремния. После этого наносятся слой проводящего металла и еще один слой фоторезиста. Ультрафиолетовое излучение пропускается сквозь вторую маску и высвечивает соответствующий рисунок на фоторезисте. Затем опять следуют этапы растворения фоторезиста и травления металла. В результате в новом слое образуются нужные проводящие полоски, напоминающие рельсы, а для межслойных соединений, то есть соединений слоев друг с другом, в слоях оставляются окна, которые затем заполняются атомами металла. К примеру, при использовании 0,25-микронного технологического процесса для осуществления разводки использовались 5 дополнительных слоев. В процессорах AMD с легендарным ядром "К-7" применяют 8-слойные соединения. Новые процессоры AMD Athlon 64 и AMD Opteron также будут 8-слойными. В течение многих лет в качестве металла для внутрислойных соединений повсеместно использовался алюминий.

Кроме того, необходимо учесть, что алюминий применяется только в качестве внутрислойных соединений, а для межслойных соединений используется вольфрам. Несмотря на то что алюминий применялся в этой области на протяжении многих лет, данный металл имеет ряд недостатков, не позволяющих использовать его при уменьшении размеров транзисторов. Так, если при производстве микросхем по 0,25-микронному технологическому процессу компания AMD применяла алюминий, то при переходе на 0,18-микронную технологию она стала использовать медные соединения.

пока тока процы http://apxutektup.narod.ru/prAMD.html" target="_blank если мало еще покопаю

[Serfer]

Это старющие данные, сейчас слоев вероятно на порядок больше. И не только у АМД, но и у Интела и НВ.
Как-никак кремниевая пластина имеет определенную стандартную толщину, так почему не использовать её эффективно?

[вФокусе]

bitrate спасибо дельная статья только многослойные медные или алюминивые соединения это всего лишь проводники для соединения с транзисторами(2,3,4,5 и т.д этаж дома а первый этаж это собственно транзисторы и чем их больше тем больше площадь кристала-микросхемы), ты же заявлял что

у нвидии чип не большой - он просто растет в ширину, в то время как у ати в высоту (больше слоев.)

У GF100 площадь больше чем у RV870 за счет того что что больше транзисторов и не надо рассказывать что нВидиа растягивает кристал в ширь

[Andrey235]

вот и сгорают радиошки гораздо чаще

Откуда инфо? По поводу "чаще" я только слышал, что чаще портятся от перегрева мобильные видяхи от НВИДИИ в ноутах 2007-2008 гг выпуска.

[shailim]

ты конечно же будешь судить о его величине по теплораспределительной крышке, на которой ати традиционно экономит

С чего бы я стал об этом судить? площадь ядра завсист от:
1) техпроцесса
2) количество транзисторов в чипе
3) плотность транзисторов

Да АМД делает более плотные чипы, но у них транзисторов в полтора раза меньше, как в поколение 48х0, так и в нынешнем р870 по сравнению с будущими чипами на основе ферми.
Проблемы нагрева прошлого поколения были техническими(скорее всего очень мощные утечки тока), а не из за плотности транзисторов. Нынешний р870 имеет ещё большую плотность, однако он очень холодный.
Даже если нвидеа сделала плотность транзисторов в чипе такой же как у АМД(что мало вероятно), площадь кристала у АМД всё равно будет в полтора раза меньше.

[SubZero]

bitrate
Поражаюсь как тебя еще не забанили за твой фанатский бред

[bitrate]

Да АМД делает более плотные чипы, но у них транзисторов в полтора раза меньше, как в поколение 48х0.

плотные это как, сжатые под давлением? это тебе не разводка млаты где есть пустоты текстолита.
где ты вообще такое прочитал?
я же привел пример с G92b и RV770 что транзисторов в них не меньше, все дело в многослойности чипа

Поражаюсь как тебя еще не забанили за твой фанатский бред

ололо, ты лучше по теме че умное скажи. бреда не какого, все что нужно я подтвердил.
статистика горелых карт есть на оверах, в обзорах частые упоминания о шумной сис охлаждения карт ати, которая едва сдерживает температуру.

[shailim]

все дело в многослойности чипа

за счёт чего достигается плотность(больше слоёв, или более близкое их расположение) не важно, важен результат.

сжатые под давлением?

LOL

GTS 250/G92b - 55-нм, площадь ядра равна 330 кв.мм, число транзисторов равно 754 млн

http://www.igrc2004.org/Blizkoe-znakoms" target="_blank ... 55-nm.html