SSD. Выбор накопителя, результаты тестов

[almazmusic]

FAQ

[Alexey1977]

для разнообразия бенчи двух SSD от Samsung в формате M2 (относительно давно продающийся SM951 и новинка PM961 - удешевленная версия SM961 и 960Pro)

[Sergey771]

z_mashine *не успел добавить

либо объясни ; почему твой Vertex работает - условно, более положенных циклов перезаписи (вопрос адекватен претензии) !

[z_mashine]

да то и значит , что я вообще о ресурсе 3D TLС не писал

это что?

P/S: MX-300 я считаю интересным диском : 3D ТLС * что в аналогии с Самсунгом - должно увеличить ресурс

[Sergey771]

z_mashine

1.тогда утверждаю - что увеличивается (и ты обобщаешь, сказал бы сразу - что ты утверждаешь, что вертикальное строение не имеет плюсов в отношении горизонтального - кроме площади )
ибо говоришь ,что горизонтальное строение не имеет разницы с вертикальным в плане увлечения ресурса
2. раз уж спорим ; то примеры выносливости, одной и той же памяти в 2D и 3D будь добр приведи

Добавлено через 7 минут 47 секунд:
цитаты :

спойлер

3D V-NAND TLC. Сравнивая оба типа памяти (и образно — обе серии), Samsung говорит о 40% снижении потребления и о двукратном росте скорости перепрограммирования ячеек памяти, что увеличивает также скорости чтения и записи.

Добиться ускорения перезаписи в случае 3D V-NAND TLC удалось за счёт того, что число шагов на этом этапе сократилось с

трёх до одного
Три операции — это время. Вертикальная память свободна от этой проблемы и операция перепрограммирования проходит в один шаг
Также компания сделала ряд других модификаций в составе цепей и контроллера, которые помогли улучшить характеристики вертикальной флэш-памяти. Например, изменён встроенный регулятор напряжения и введён контроль над сопротивлением сигнальных линий. Поскольку дистанции между конечными ячейками на одной линии огромны, мониторинг сопротивления линий позволяет в реальном времени выставить то значение напряжения, которое позволит удержать стабилизацию сигнала в заданных рамках и даже снизить величину отклонения от заданной фазы. Регулировка на лету рабочих параметров памяти также ведёт к снижению потребления.

P/S: не говори что это не снижает ресурс

ибо цитаты :

спойлер

У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня. Поэтому программирование и снятие уровня напряжения в TLC NAND занимает больше времени, а надёжность хранения сильно страдает от износа полупроводниковой структуры ячейки: даже небольшое утончение слоя диэлектрика может приводить к утечке заряда с плавающего затвора. Более того, с внедрением новых, более «тонких» техпроцессов проблема выносливости ячеек TLC NAND только усугубляется, так как компоненты каждой ячейки приобретают меньшие геометрические размеры изначально.

Планарная TLC NAND при записи данных требует подачи на управляющий затвор ячеек нескольких последовательных импульсов и многочисленных промежуточных проверок правильности программирования. С трёхмерной же TLC V-NAND число итераций удаётся сократить, и продолжительность операций записи снижается примерно на 50 процентов. Похожим образом сокращается и цикл чтения[

Срок хранения данных
Изоляция кармана неидеальна, заряд постепенно изменяется. Срок хранения заряда, заявляемый большинством производителей для бытовых изделий, не превышает 10—20 лет,[ хотя гарантия на носители дается не более чем на 5 лет. При этом память MLC имеет меньшие сроки, чем SLC.

Специфические внешние условия, например, повышенные температуры или радиационное облучение (гамма-радиация и частицы высоких энергий), могут катастрофически сократить срок хранения данных.

У современных микросхем NAND при чтении возможно повреждение данных на соседних страницах в пределах блока. Осуществление большого числа (сотни тысяч и более) операций чтения без перезаписи может ускорить возникновение ошибки.

По данным Dell, длительность хранения данных на SSD, отключенных от питания, сильно зависит от количества прошедших циклов перезаписи (P/E) и от типа флеш-памяти и в худших случаях может составлять 3—6 месяцев

Samsung с 2013—2014 года начала массовый выпуск 24- и 32-слойной 3D NAND на базе CTF технологии, в том числе, в варианте с 3-х битными (TLC) ячейками[34]. Проявляющееся с уменьшением техпроцесса уменьшение износостойкости (ресурса стираний)

[Jampwnz]

Sergey771
я, конечно, извиняюсь, но спорить с машиной о ссд... как минимум, глупо

[nikolaiii]

Avenger80
Именно, по этой причине я общался с саппортом Кингстона. Даже на Пентиуме Г4400 скорость 4к гораздо выше, собирал машинку ставил свой ссд туда для проверки.

[Sergey771]

я, конечно, извиняюсь, но спорить с машиной о ссд... как минимум, глупо

не глупо , не я начал спор , и сам спор ни к чему не приведет, ибо нет одной и тоже памяти * одного техпроцесса на 2D и 3D (протестированной на выносливость - тем более на одной платформе)

P/S: и если обобщить то у 3D памяти ,увеличивается ресурс в сравнении c 2D (ибо вертикальное строение, получает более толстый тех процесс со старта в сравнении с обычной памятью), что уже противоречит заявлениям о не влиянии строения - на ресурс

Добавлено через 1 час 1 минуту 58 секунд:
P/P/S:

спойлер

цитата :
Надо заметить, что V-NAND не просто предполагает расположение ячеек слоями, но и вносит некоторые изменения в базовое устройство ячеек флеш-памяти. Вместе со структурными преобразованиями Samsung воспользовалась технологией Charge Trap Flash (CTF) — «флеш с ловушкой заряда», разработанной инженерами компании ещё в 2006 году. Идея состоит в том, что заряд хранится не в плавающем затворе из легированного поликристаллического кремния, а в тонком непроводящем слое из нитрида кремния. Такая технология легко адаптируется для трёхмерного дизайна: диэлектрик помещается между управляющим затвором и полупроводниковым каналом концентрическими цилиндрами, что в конечном итоге увеличивает надёжность всей схемы и снижает вероятность возникновения структурных дефектов при многослойном производстве. К тому же технология CTF позволяет снизить уровень напряжений, необходимых для программирования ячеек. А это, естественно, положительно сказывается на их времени жизни.

В результате ресурс Samsung V-NAND ощутимо вырос: те самые 32-уровневые кристаллы флеш-памяти, которые попали в Samsung 850 Pro, способны переносить до 35 тысяч циклов программирования-стирания. То есть они на порядок выносливее современной плоской MLC NAND, которая обычно используется в потребительских SSD. Кроме того, понижение программирующих напряжений положительно сказывается как на энергопотреблении, так и на производительности при записи.

таблица циклов перезаписи у обычной памяти

у 3D TLC Самсунг 21 нм 2000 циклов

[Vovchic_jrc]

Alexey1977
У тебя там ПК не взлетает?

[Sergey771]

z_mashine

приношу извинения за эти свои слова , цитата :

даже если исходя из выкрутасов хороший человек - перед "умным" гавканьем без причины или ты просто хочешь блеснуть мыслью и сказать

ибо не понял - что речь о вертикальном строении , так как думал ; что ты говорил об обычной памяти - на разной дисковой платформе (когда понял - перевел разговор в другое русло *но извиниться все равно - обязан).

[Skeptik]

и если обобщить то у 3D памяти ,увеличивается ресурс в сравнении c 2D

Странно конечно, но почему-то ни один из производителей дисков на новомодной памяти не воспользовался таким крутым маркетинговым преимуществом и не увеличил ресурс дисков на 3д по сравнению с планарной тлц памятью.

Может, они еще что-то знают?...

[Avenger80]

Skeptik
Почему не увеличился ресурс? 3D TLC, я так понял, равна (примерно равна) по ресурсу с MLC.

[Skeptik]

3D TLC, я так понял, равна (примерно равна) по ресурсу с MLC.

Найдите хотя бы одну модель диска на 3д тлц с заявленным производителем ресурсом, заметно отличающемся от предыдущей модели с планарной тлц...

Мне кажется, что эти байки о большом ресурсе проистекают от первого поколения гнусмасовской 3д памяти, которая делалась не то по 45, не то по 60-нанометровому процессу - она действительно, вполне могла быть сопоставимой с млц 21-нанового процесса. Но та экспериментальная память давно не выпускается, и 3д память сейчас делается по тем же нормам, что и планарная, так что заметной разнице там взяться неоткуда - что и подтверждается заявленными тбв построееных на этой памяти дисков.

[Sergey771]

Может, они еще что-то знают?...

вполне возможно (но в реальности все проще : ресурс современных SSD понятие размытое и условное , ибо много посторонних факторов : контроллер, платформа, стабильность напряжений, режим использования ) , все это может повлиять на жизнь диска , а как мы знаем - реальный ресурс памяти зачастую выше "тбв" (но производители, не спешат указывать это в характеристиках и поднимать значение тбв, исключением являться только последние Кингстон *вот они наверное точно что-то знают )

Добавлено через 8 минут 55 секунд:

Мне кажется, что эти байки о большом ресурсе проистекают от первого поколения гнусмасовской 3д памяти.

согласен, изначально ноги росли от туда (но есть и более свежие испытания износа: 21 нм 3D TLC и например Toshiba 19-нм )
там петабайт, против 600 терабайт (если быть точным 330 трб. у 128 гб. модели)

P/S: реально подтвердить или опровергнуть, можно только сравнив две одинаковые платформы 3D и 2D на одном техпроцессе.

[Skeptik]

но в реальности все проще : ресурс современных SSD понятие размытое и условное

Это ошибка. На самом деле ресурс вполне определен стандартом JEDEC.

но производители, не спешат указывать это в характеристиках и поднимать значение тбв

Почему же? Это же такое маркетинговое преимущество...

исключением являться только последние Кингстон

Не сказал бы... Кинги на тлц ни разу не блещут большими тбв - те же самые ~половина цифры объема в гигабайтах (60 тер для 120-гигового, 120 тер - для 240 и так далее...)

там петабайт

Да нету там никаких петабайт!!!!

ТБВ - это не просто "сколько можно записать", а "сколько можно записать так, чтобы потом прочитать", причем - для клиентских дисков - прочитать ЧЕРЕЗ ГОД хранения в выключенном состоянии.

[Sergey771]

Это ошибка. На самом деле ресурс вполне определен стандартом JEDEC.

не ошибка , а сознательное - мое отношение к ресурсу

Добавлено через 45 секунд:

Почему же? Это же такое маркетинговое преимущество...

этот вопрос нужно задавать не мне

Добавлено через 1 минуту 15 секунд:

Кинги на тлц ни разу не блещут большими тбв

я говорил не о "кингах" на TLC

сейчас переформирую скрины

Добавлено через 22 минуты 41 секунду:

Да нету там никаких петабайт!!!!

спойлер

850 EVO : 1 356 Тбайт (21 нм)

спойлер

850 PRO : 2 190 Тбайт

спойлер

850 EVO : 1 690 Тбайт

спойлер

спойлер

840 EVO : 750 Тбайт

спойлер

Добавлено через 3 минуты 52 секунды:
P/S: я говорил о этих Кингстон

спойлер

никто, вроде не дает - такой TBW на 19 нм Тошибе , кроме Кингстона .

[Skeptik]

не ошибка , а сознательное - мое отношение к ресурсу

Ну мы же обсуждаем объективную реальность, а не "ваше отношение", правда?...

этот вопрос нужно задавать не мне

Этот вопрос стоит задать себе всем, кто пытается понять, что происходит в реальности...

я говорил не о "кингах" на TLC

А о чем? Если сандфорц+млц - так там действительно, большой ресурс самого флеша плюс низкое усиление записи благодаря контроллеру - вполне можно поставить цифру побольше. А вот на тлц - опаньки, заявили мало...

850 EVO : 1 356 Тбайт (21 нм)

Еще раз - эти "тестирования" - до фонаря. В них нету самого главного - проверки читаемости записанного через стандартный промежуток времени.

А просто писать, не читая - это примерно как признание секретарши - «А я 600 знаков в минуту печатаю! Такой бред получается...»

Добавлено через 2 минуты 51 секунду:

никто, вроде не дает - такой TBW на 19 нм Тошибе , кроме Кингстона .

А какой дают?...

[Sergey771]

Skeptik

1.ты игнорируешь факты
2. я обсуждал ресурс изначально со своей колокольни http://forum.overclockers.ua/viewtopic. ... 8#p1936298 об этом и писал.
3. ты опять игнорируешь факты *на скринах по TBW все видно (и тогда у меня к тебе вопрос, почему не все производители используют (как ты сказал) данное маркетинговое преимущество? )

Добавлено через 1 минуту 53 секунды:

А какой дают?...

я думаю ты и сам в состоянии - это узнать ( у тебя как всегда : глупый троллинг ради троллинга и это

Если сандфорц+млц - так там действительно, большой ресурс самого флеша плюс низкое усиление записи благодаря

)

Добавлено через 13 минут 39 секунд:
P/S: но как то странно, что ты веришь в цитата :большой ресурс самого флеша плюс низкое усиление записи благодаря контроллеру

но не веришь в тоже самое : когда - цитата :

У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня. Поэтому программирование и снятие уровня напряжения в TLC NAND занимает больше времени, а надёжность хранения сильно страдает от износа полупроводниковой структуры ячейки: даже небольшое утончение слоя диэлектрика может приводить к утечке заряда с плавающего затвора. Более того, с внедрением новых, более «тонких» техпроцессов проблема выносливости ячеек TLC NAND только усугубляется, так как компоненты каждой ячейки приобретают меньшие геометрические размеры изначально.

Планарная TLC NAND при записи данных требует подачи на управляющий затвор ячеек нескольких последовательных импульсов и многочисленных промежуточных проверок правильности программирования. С трёхмерной же TLC V-NAND число итераций удаётся сократить, и продолжительность операций записи снижается примерно на 50 процентов. Похожим образом сокращается и цикл чтения

К тому же технология CTF позволяет снизить уровень напряжений, необходимых для программирования ячеек. А это, естественно, положительно сказывается на их времени жизни.

[Skeptik]

1.ты игнорируешь факты

Какие, например?

2. я обсуждал ресурс изначально со своей колокольни viewtopic.php?p=1936298#p1936298" target="_blank об этом и писал.

Вы же сам понимаете, что обсуждать "комплекс" совершенно бесполезно - просто потому, что из всего "комплекса" производителем обозначается ровно один параметр, тбв, а все остальное не имеет хоть сколько-нибудь релевантных данных... Потому - боюсь, что такая "колокольня" интересна исключительно вам...

3. ты опять игнорируешь факты *на скринах по TBW все видно

Ничего там не видно реально важного. Еще раз - на диск мы записываем не для того, чтобы диск проглотил, а чтобы потом с него прочитать.

я думаю ты и сам в состоянии - это узнать

То есть - данных на этот счет у вас нету, и сказано сие было просто ради красного словца... Понял, спасибо.

но не веришь в тоже самое : когда - цитата :

В этой цитате лично я вижу исключительно маркетинговый буллшит, никак не объясняемый, а просто декларируемый. Само трехмерное размещение ячеек в несколько слоев не дает никакого преимущества по сравнению с однослойным размещением, а, наоборот, только усугубляет проблемы. То есть - если выносливость ячеек действительно выросла, то она должна объясняться не трехмерностью их расположения, а какими-то другими технологическими новшествами, о которых, почему-то в "цитате" ни слова.

И опять же - если выносливость такой памяти действительно стала больше - то у производителей дисков на ней появлется возможность получить преимущество перед конкурентами, заявив больший ресурс своих дисков. Но этого пока что почему-то никто сделать не решился... Лично я вижу тут ровно два возможных варианта - либо мы наблюдаем всемирный заговор производителей ссд (типа они договорились для новой памяти не поднимать заявленный ресурс и все, как истинные джентльмены, этому договору неукоснительно следуют, не прекращая, впрочем ценовой войны друг с другом), либо - реальная выносливость применяемой ими памяти (а не той, экспериментальной, на сверхтолстом техпроцессе от самсунга) практически не отличается от планарной и не позволяет реализовать это "цитатное преимущество" на практике. Какой из вариантов кажется вам более реальным? Может быть, вы видите еще варианты?...

[Sergey771]

1.ты игнорируешь факты

Какие, например?

показания тестирования выносливости

] а все остальное не имеет хоть сколько-нибудь релевантных данных... Потому - боюсь, что такая "колокольня" интересна исключительно вам...

1. имеет *я на это смотрю по другому, ты же зациклился TBW (хотя эта величина условная и не фиксированная)
2. да мне, об этом я и говорил

Еще раз - на диск мы записываем не для того, чтобы диск проглотил, а чтобы потом с него прочитать.

а кто кроме тебя говорил, что он не прочитает ? ( ах да, это же было твое утверждение не основанное на фактах )

То есть - данных на этот счет у вас нету, и сказано сие было просто ради красного словца... Понял, спасибо.

не ерничай , а то ведешь себя как дитя ( Plextor M6S : Toshiba 64 Гбит A19-нм MLC NAND и Toshiba 128 Гбит A19-нм MLC NAND , 72 Тбайт для 128 Гбайт,256 Гбайт, 512 Гбайт моделей и подобных примеров куча - на данной памяти )

возможность получить преимущество перед конкурентами

оно так и есть (как показывают продажи и эксплуатация данных дисков)
еще раз: как я и писал выше - доказать или опровергнуть, можно только сравнением 2D и 3D на одной платформе и одинаковом техпроцессе )

Добавлено через 10 минут 59 секунд:
P/S: надо было и этот скрин залить, ибо как я понял ты обижаешься
сандфорс +MLC

спойлер

плавать в облаках более не собираюсь (ибо кроме значимости TBW, и незначимости у той же памяти в меньшем значении в зависимости вендоров я ничего более не услышал ( напомнило смотрю в книгу , а вижу ...!) * ну ты понял )) , посему откланиваюсь

и отчасти это заговор : ибо никому ненужен диск с ресурсом в десять лет (делают меньший TBW и от него отсчитывают жизненный цикл , ты же видел - как переживают люди, за процентным содержанием - здоровья диска в разных утилитах ,"вендоры" напрямую заинтересованы - чтобы покупатель бежал в магазин * ибо это непосредственная прибыль)

[Skeptik]

показания тестирования выносливости

Реальных тестирований выносливости никто не проводил - хотя бы потому, что они предполагают как минимум трехмесячную выдержку диска в выключенном состоянии при фиксированной повышенной температуре. А те картинки - никакого отношения к выносливости не имеют, а показывают, сколько воды можно налить в решето, пока оно не прорвется.

1. имеет

Покажите. Те картинки из прошлых постов - не в счет.

TBW (хотя эта величина условная и не фиксированная)

Как раз этот параметр описан в стандарте JEDEC, вместе с условиями его применимости, а также заявляется в официальных спецификациях дисков приличных производителей.

Plextor M6S : Toshiba 64 Гбит A19-нм MLC NAND и Toshiba 128 Гбит A19-нм MLC NAND , 72 Тбайт для 128 Гбайт

И чем это принципиально отличается от 113 тер у саважа?

надо было и этот скрин залить

Совершенно не нужно - он не дает ничего для понимания реальной выносливости флеша.

и отчасти это заговор : ибо никому ненужен диск с ресурсом в десять лет (делают меньший TBW

Почему-то кинг посчитал по-другому, и на фурию дал тбв в 290 тер на 120-ку... И не стал ограничивать гарантию этой цифрой. Думаете - теперь он на ней обанкротится?

А вот самсунг с сандиском - замечательно продают диски с 10-летней гарантией... Тоже сдуру, да?

"вендоры" напрямую заинтересованы - чтобы покупатель бежал в магазин

Конечно, заинтересованы. Но еще больше они заинтересованы в том, чтобы покупатель, прибежав в магазин, выбрал именно их диск, а не конкурента. А когда рядом есть диски по похожей цене, но с разным ресурсом - то что выберет уже "переживающий за процентным содержанием" покупатель?...