Samsung працює над мікросхемами GDDR7 зі швидкістю до 36 Гбіт/с

[EvhenS]

Пропоную обговорити Samsung працює над мікросхемами GDDR7 зі швидкістю до 36 Гбіт/с
64 бітну шину на всі картки до топа кинуть і байдуже на вашу працю.

[gehka3]

Больше интересна 6я без "х" - быстрая холодная и не вылетающая от чиха, ждём на видяшках 4ххх серии зелёных и 7ххх красных

[Vpupkin]

Может через годик выпустят 4090ти с такой памятью.

[Denvys5]

Samsung також підтвердила роботу над мікросхемами DDR5 щільністю 32 Гбіт, що дозволить налагодити випуск модулів оперативної пам'яті вдвічі більшої місткости щодо актуальних рішень, де використовуються 16-гігабітні чипи.

Где то, один Earnak:

спойлер

[ronemun]

Пропоную обговорити Samsung працює над мікросхемами GDDR7 зі швидкістю до 36 Гбіт/с
64 бітну шину на всі картки до топа кинуть і байдуже на вашу працю.

так правильно, DRAM контролери відносно інших модулів зараз займають колосальне місце, замість нього можна багато кешу чи до тисячі ядер поставити. Рівень сигнал/шум в мультибітних шинах, як в GDDR7, дуже низький - необхідні дуже точні і прецизійні схеми які в реальному часі розпізнаватимуть рівень сигналу, адже тепер буде не 2 значення, а 4, а далі піде 8 і т.п. Також розводити лінії такої широкої шини чим раз важче. У великих схемах до 70-% енергії і величезна площа на кристалі тратиться на схеми синхронізації частоти, фази і т.п., а зараз частоти ще виросли у 2 рази, тож чим меньше блоків тим вища ефективність використання транзисторів, це не рахуючи зменшення браку

[vmsolver]

Да, судя по некоторым сведениям (и патентам), GDDR7 будет иметь, подобно GDDR6X, кодирование сигналов PAM-4, но будут 4 независимых канала по 8 бит на микросхему. Частоты до 40 ГГц в эквиваленте.
Ну что ж, видеокарты становятся мощнее, их надо кормить данными. Года через два, в условной RTX 5090, увидим 24 ГБ GDDR7.

[Gelonyrum]

Пропоную обговорити Samsung працює над мікросхемами GDDR7 зі швидкістю до 36 Гбіт/с
64 бітну шину на всі картки до топа кинуть і байдуже на вашу працю.

І 2 лінії PCI-E на здачу)

[pelia]

Пропоную обговорити Samsung працює над мікросхемами GDDR7 зі швидкістю до 36 Гбіт/с
64 бітну шину на всі картки до топа кинуть і байдуже на вашу працю.

І 2 лінії PCI-E на здачу)

Ожидаем в 7 серии карточек от амд уже

[Скоротриндець]

Самсунг оживает. Правильно а то тсмц зазнался)

спойлер

Инфа с прошлого нашего:

Час = 144 Части (= 90 минут).
Часть = 1 296 Долей (= 37,56 секунд).
Доля = 72 Мгновений (1сек.= 34,5 доли).
Мгновение = 760 Мигов (1сек.= 2484,34 мгн).
Миг = 160 Сигов (1сек.=1888102,236 мигов). Отсюда произошло слово «сигануть», т. е. очень-очень быстро переместиться.
Сиг = 14000 Сантигов (1 сек.=302096358 сигов). 1 сиг примерно равен 30 колебаниям электромагнитной волны атома цезия, взятого за основу для современных атомных часов.

[minesweeper]

З такою пам'яттю можна й 128 бітну шину, та 8 ліній pci-e 5 версії для мідл сегменту

[ronemun]

DRAM інтерфейс це лише інтерфейс, такий самий як PCIe, чи NVlink у Нвідії, чи OMI у IBM і т.п. Звичайно він нібито завязаний на частоту памяті, тобто комірок DRAM, насправді це все давно туфта, тому що навіть значно швидший кеш L3 у Intel має несинхронну частоту з ядрами, як і шина IF в АМД Zen4 , так само і значно тормознутіші банки конденсаторів DRAM можуть працювати на несинхронній частоті відносно інтерфейсу. Ну насправді, самі подумайте, хто головніше: інтерфейс на частоті 20 ГГц (GDDT6 розігнаний, 10 ГГц фізичних, точність мінімум 1/10/2=0,05 нс, сигнал синхронізації посередині такту, тому /2, чи комірки драм з затримками всіх процедур мінімум від 25 нс. Цеж відношення 1 до 500 !!! Інтерфейс і банки памяті в DRAM давно зовсім різні модулі, дуже складні, і нічого спільного не мають. Нвідія взагалі значно дальше пішла : її інтерфейси давно працюють на фізичних 25 ГГц, в сучасних доходить 50 ГГц (200 Гбіт на 4 пари NVlink і Ethernet, скоро буде 400), так вона цю частоту вже прямо на кристал перевела для шин звязку - ну реально, чому для зовнішніх інтерфейсів підходить, а внутрішніх ні? І тепер всередині кристалу, враховуючи PAM4, має 100 і 200 ГГц, внаслідок чого площа інтерфейсів (не контролера, а саме інтерфейсів), на кристалі, відносно PCIe v4 зменшилась в 90 разів !!! А інтерфейси якраз і займають основну площу в PCIe і DRAM. І чим більша частота ліній, тим менше тре ліній, а отже і контролерів. І чим вища частота, тим менша затримка, що значно зменьшує втрати на розсинхронізацію даних (при мультипоточній обробці загальна швидкість пропорційна не тілька швидкості потоків, а їх синхронності)

[jt38]

З такою пам'яттю можна й 128 бітну шину, та 8 ліній pci-e 5 версії для мідл сегменту

ниче, что скорость чипов растет во всех сегментах? т.е. топам надо 384 бит как и раньше, а мидлам резко стало хватать и 128? да, чего уж там 64 лепи

[Cirax]

Да, судя по некоторым сведениям (и патентам), GDDR7 будет иметь, подобно GDDR6X, кодирование сигналов PAM-4, но будут 4 независимых канала по 8 бит на микросхему. Частоты до 40 ГГц в эквиваленте.
Ну что ж, видеокарты становятся мощнее, их надо кормить данными. Года через два, в условной RTX 5090, увидим 24 ГБ GDDR7.

Чтобы тянуть условную косынку, ибо мощность тратится на разные улучшайзеры, без улучшения качества картинки.

[vmsolver]

Чтобы тянуть условную косынку, ибо мощность тратится на разные улучшайзеры, без улучшения качества картинки.

Закусывать надо.

[minesweeper]

З такою пам'яттю можна й 128 бітну шину, та 8 ліній pci-e 5 версії для мідл сегменту

ниче, что скорость чипов растет во всех сегментах? т.е. топам надо 384 бит как и раньше, а мидлам резко стало хватать и 128? да, чего уж там 64 лепи

Шина на 128 біт з такою пам'яттю забезпечить ~ 560-580ГБ/с. Це половина від RTX4090. У 3070Ті - 610ГБ/с. Враховуючи, що у 3070Ті не має великого буферного кешу, як у 6800ХТ, в якій 128Мбайт та ПзП 256 битної шини - 547ГБ/с. Тому, якщо майбутні відіки від нвідії та АМД, будуть з кешем від 128МБ, то 128 ліній з такою пам'ттю для мидлов буде досить