IBM анонсировала первые в мире 2-нм микросхемы

Обсуждение статей и новостей сайта
Автор
Повідомлення
-_-
Member
Аватар користувача
Звідки: Київ <- Шостка

Повідомлення

Предлагаю обсудить IBM анонсировала первые в мире 2-нм микросхемы



спойлер
Apple в недоумении :lol:
Востаннє редагувалось 06.05.2021 20:22 користувачем gehka3, всього редагувалось 1 раз.
Причина: ! НЕ УДАЛЯЙТЕ ССЫЛКУ НА НОВОСТЬ !
sergiiua
HWBOT OC Team
Аватар користувача
Звідки: Kyiv

Повідомлення

-_-: 06.05.2021 14:47 Apple в недоумении :lol:
Ага да :)

Пока IBM начнет что-то массовое делать на этой технологии, 2нм процессорам Apple / Snapdragon от TSMC будет уже несколько лет :)

Ну и не стоит забывать о том, что Apple как и многие другие это просто заказчики, они с удовольствием купят печать у IBM. Сжиматься должно только у TSMC от этой новости :)
Востаннє редагувалось 06.05.2021 14:56 користувачем sergiiua, всього редагувалось 1 раз.
SergN
Member
Звідки: Kyiv

Повідомлення

Из-за соревнования маркетинговых обозначений "х нм" в техпроцессах уже давно пора переводить на вот такую вполне адекватную подачу информации:
плотность размещения транзисторов в таком чипе составляет ХХХ млн на квадратный миллиметр
TankV
Member
Аватар користувача
Звідки: Мариуполь

Повідомлення

Ну вот и конец кремния близок :) 1нм и приплыли...
unlnu
Member
Аватар користувача

Повідомлення

такой себе анонс, больше похоже на утку...
warp 37
Member
Аватар користувача
Звідки: Киев

Повідомлення

sergiiua: 06.05.2021 14:54
-_-: 06.05.2021 14:47 Apple в недоумении :lol:
Ага да :)

Пока IBM начнет что-то массовое делать на этой технологии, 2нм процессорам Apple / Snapdragon от TSMC будет уже несколько лет :)
У меня такое ощущение, будто Qualcomm только то и делает, что перемещает процессоры на новые техпроцессы, как Intel делала это с Sandy Bridge до Kaby Lake.

Воз и ныне далеко от Snapdragon 660 далеко не уехал, зато скоро, небось, будет с 5G и на 2 нм.
sergiiua
HWBOT OC Team
Аватар користувача
Звідки: Kyiv

Повідомлення

warp 37: 06.05.2021 14:57 У меня такое ощущение, будто Qualcomm только то и делает, что перемещает процессоры на новые техпроцессы, как Intel делала это с Sandy Bridge до Kaby Lake.
Вроде не так все плохо. 888 быстрее 660 в 2-3 и более раз в зависимости от задач.
Impulse101
Member

Повідомлення

Интересно как будут решать вопрос с отводом тепла от таких микросхем, если уже сейчас с этим возникают проблемы на 7нм, а здесь плотность размещения транзисторов в 3.5 раза выше.
Крылатый Слон
Member

Повідомлення

Гонка нанометров вступает в завершающую фазу... Переходим к пикометрам :rotate: А вообще новость отличная :up: Всё интереснее наблюдать за миром электроники.
sergiiua
HWBOT OC Team
Аватар користувача
Звідки: Kyiv

Повідомлення

TankV: 06.05.2021 14:56 Ну вот и конец кремния близок :) 1нм и приплыли...
Каждый год хоронят, только конец все уменьшается и уменьшается :)
1nsane
Member
Звідки: Ларнака, Кипр

Повідомлення

Так вот зачем Интелу соглашения о сотрудничестве с IBM...
_clawfinger_
Member
Звідки: З берегів Дніпра

Повідомлення

SergN: 06.05.2021 14:56Из-за соревнования маркетинговых обозначений "х нм" в техпроцессах уже давно пора переводить на вот такую вполне адекватную подачу информации:
То все журналісти...
А в тілі новини є головна й важлива інфа:
плотность размещения транзисторов в таком чипе составляет впечатляющие 333,3 млн на квадратный миллиметр. Для сравнения, у актуальных 7-нм продуктов TSMC этот параметр равен 91,2 млн/мм², а 10-нм процессоры Intel содержат в квадратном миллиметре около 100,8 млн транзисторов.

Такие чипы выпускаются пока только в исследовательских центрах IBM. На запуск конвейера и отладку производства уйдёт ещё не один год,
sergiiua
HWBOT OC Team
Аватар користувача
Звідки: Kyiv

Повідомлення

Impulse101: 06.05.2021 15:00 Интересно как будут решать вопрос с отводом тепла от таких микросхем, если уже сейчас с этим возникают проблемы на 7нм, а здесь плотность размещения транзисторов в 3.5 раза выше.
Еще один миф, который тянется уже 10 лет от тех.процесса к тех.процессу. Такой же как и закат кремния.
Какие реальные проблемы с отводом тепла у АМД 7нм относительно АМД 12нм? Или у Apple 5-7нм относительно Apple 10-12нм?
1мм кристала выделяет практически одинаковое количество тепла от техпроцесса к техпроцессу. Просто этот 1мм становится мощнее.
-_-
Member
Аватар користувача
Звідки: Київ <- Шостка

Повідомлення

sergiiua: 06.05.2021 15:05
Impulse101: 06.05.2021 15:00 Интересно как будут решать вопрос с отводом тепла от таких микросхем, если уже сейчас с этим возникают проблемы на 7нм, а здесь плотность размещения транзисторов в 3.5 раза выше.
Еще один миф, который тянется уже 10 лет от тех.процесса к тех.процессу. Такой же как и закат кремния.
Какие реальные проблемы с отводом тепла у АМД 7нм относительно АМД 12нм? Или у Apple 5-7нм относительно Apple 10-12нм?
1мм кристала выделяет практически одинаковое количество тепла от техпроцесса к техпроцессу. Просто этот 1мм становится мощнее.
Мне казалось что площадь кристалла уменьшается, откуда и проблема с теплоотводом.
MetalistForever
Member
Аватар користувача
Звідки: Харьков

Повідомлення

Вот это новость так новость ! Удивили ! IBM молодцы !
P.S. Ждем смерть кремния :super: :laugh:
sergiiua
HWBOT OC Team
Аватар користувача
Звідки: Kyiv

Повідомлення

-_-: 06.05.2021 15:10
sergiiua: 06.05.2021 15:05

Еще один миф, который тянется уже 10 лет от тех.процесса к тех.процессу. Такой же как и закат кремния.
Какие реальные проблемы с отводом тепла у АМД 7нм относительно АМД 12нм? Или у Apple 5-7нм относительно Apple 10-12нм?
1мм кристала выделяет практически одинаковое количество тепла от техпроцесса к техпроцессу. Просто этот 1мм становится мощнее.
Мне казалось что площадь кристалла уменьшается, откуда и проблема с теплоотводом.
Ближе к «стоит на месте»:
A14 (5нм) - 88 мм
A12 (7нм) - 83.27 мм
A11 (10 нм) - 87.66 мм

Отправлено спустя 2 минуты 41 секунду:
MetalistForever: 06.05.2021 15:14 Вот это новость так новость ! Удивили ! IBM молодцы !
P.S. Ждем смерть кремния :super: :laugh:
А где в статье упоминание про технологию производства?
Судя по всему это все тот же кремний, просто новый способ печати.
erkins007
Member
Аватар користувача

Повідомлення

Для сравнения, у актуальных 7-нм продуктов TSMC этот параметр равен 91,2 млн/мм², а 10-нм процессоры Intel содержат в квадратном миллиметре около 100,8 млн транзисторов.
Не перепутаны данные? А то получается что у интела 10нм лучше чем 7нм у tsmc
SKYJAKER
Member
Аватар користувача
Звідки: м Камянське

Повідомлення

TankV: 06.05.2021 14:56 Ну вот и конец кремния близок :) 1нм и приплыли...
почему же, знак "-" минус никто не отменял, -2нм, -5нм, -7нм, -10нм :laugh:
sergiiua
HWBOT OC Team
Аватар користувача
Звідки: Kyiv

Повідомлення

erkins007: 06.05.2021 15:18
Для сравнения, у актуальных 7-нм продуктов TSMC этот параметр равен 91,2 млн/мм², а 10-нм процессоры Intel содержат в квадратном миллиметре около 100,8 млн транзисторов.
Не перепутаны данные? А то получается что у интела 10нм лучше чем 7нм у tsmc
Возможно маркетинговый отдел интела прибедняется, но есть другой фактор - пока интел рожает 10нм, TSMC печатает на полную 5нм с плотностью от 134 до 174 млн/мм2 по разным данным.
Відповісти