SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND»

[Alexsandr]

Может просто больше ячеек переписывается? В одну ячейку нельзя записать 4 бита. Можно только записать правильный уровень заряда.
Стандарты разрабатывают уже как правило после физики.

[Sergey771]

Можно только записать правильный уровень заряда

там нет неправильных зарядов ( просто заряд плывет при износе ячейки)

Может просто больше ячеек переписывается

нет, просто чем выше битность памяти - тем больше зарядов находиться в одной ячейке

спойлер

В одну ячейку нельзя записать 4 бита

шо за глупости вы говорите, постыдились бы

Стандарты разрабатывают уже как правило после физики

еще раз говорю, стандарт для хранения данных - на выключенных накопителях один для всех типов памяти и плевали производители на физику, ибо TBW хватает в большинстве случаев
P/S: хотя бы изредка проявляйте интерес к интересующему вас вопросу ( да и я вам вроде бы не справочный центр)

[Alexsandr]

там нет неправильных зарядов ( просто заряд плывет при износе ячейки)

Напомню, в QLS 16 уровней заряда. Как это нет неправильного уровня заряда? При записи нужно записать, проверить уровень реальный заряда, при необходимости внести коррективы в напряжение на запись, стереть и повторить запись. Стирание тоже помнится ведь хитро идет страницами, ими же и пишется. Вот и износ, на повторы. Ведь контроллер хоть по видимому и запоминает правильные значения для записи, но ячейки деградируют, меняется температура..., что делает иной раз невозможным правильную запись с ходу.

нет, просто чем выше битность памяти - тем больше зарядов находиться в одной ячейке

спойлер

princip-raboty-i-ustrojstvo-flesh-pamyati-slcimlc.jpg
qlc.jpg

Вы серьезно? Вы так и не поняли как работает SSD. На картинке не несколько зарядов, а один. Просто напряжение 0,25в это 11, 0,5в-10, 0,75в-01 и 1в это 00. Это если грубо очень. А зяряд в ячейке всегда один, просто разные уровни. И чем больше уровней заряда, тем сложнее реализовать, тормознее память и меньше надежность.

шо за глупости вы говорите, постыдились бы

Это правда. Нет 4-х бит там, есть просто нужный уровень заряда и контроллер который интерпретирует уровень заряда к значению.
Это как коробка с одной спичкой, а списка может лежать и целая и половина и четверть или вообще ничего не лежать.

еще раз говорю, стандарт для хранения данных - на выключенных накопителях один для всех типов памяти и плевали производители на физику, ибо TBW хватает в большинстве случаев
P/S: хотя бы изредка проявляйте интерес к интересующему вас вопросу ( да и я вам вроде бы не справочный центр)

[/quote]
А TBW из чего рассчитывается? Кол-во записей и объем диска и коэффициент на контроллер и алгоритмы. Вот первое и обсуждаем. Эт основной показатель, все остальное не может очень сильно влиять.

[Sergey771]

Как это нет неправильного уровня заряда?

да просто нет ( все заряды четко определены следуя битности )

Просто напряжение 0,25в это 11, 0,5в-10, 0,75в-01 и 1в это 00. Это если грубо очень

это и есть несколько зарядов ибо величины разные

Вы так и не поняли как работает SSD

это вы не понимаете как он работает ( кроме предположений и ерунды я от вас ничего дельного не услышал)

Нет 4-х бит там, есть просто нужный уровень заряда и контроллер который интерпретирует уровень заряда к значению

это и есть 4 бита, (так же как 3, 2 и 1)

Вот первое и обсуждаем

мы ничего не обсуждаем ( вы пытаетесь мне что-то доказать , то рассказывая о утечках то о заряде то отвергаете стандарты)

[Alexsandr]

это и есть несколько зарядов ибо величины разные

Покажите где несколько зарядов. Вы множественное число применяете к одному заряду разного уровня (батарейка одна, а напряжение может быть разное у неё) у вас коробка спичечная, в ней одна спичка разной длинны. Покажите, как в этой коробке при наличии одной спички может быть несколько спичек? Может быть только интерпретация длины спички,но не более того. И эта интерпретация и вызывает проблемы.

это вы не понимаете как он работает ( кроме предположений и ерунды я от вас ничего дельного не услышал)
это и есть 4 бита, (так же как 3, 2 и 1)

Это интерпретация 4х бит, но ерунда это ваши несколько зарядов в 1 ячейке и такое же время хранения при в разы более жестких ограничениях на уровни заряда.

мы ничего не обсуждаем ( вы пытаетесь мне что-то доказать , то рассказывая о утечках то о заряде то отвергаете стандарты)

Я данные не отвергаю, я написал как формируется ваш любимый показатель, но он не показывает время хранения, частоту перезаписи (а как данные поменяются спустя 3 года эксплуатации?) ... Это базовые данные, а не маркетинговые 1200Гц в телевизоре.

[Sergey771]

Покажите где несколько зарядов

Alexsandr:
Просто напряжение 0,25в это 11, 0,5в-10, 0,75в-01 и 1в это 00. Это если грубо очень

это и есть несколько зарядов ибо величины разные

думаю нам можно прийти к пониманию, просто я это называю несколько зарядов, а вы одним ( по факту я говорил о состояниях, а вы об общем заряде)

Это интерпретация 4х бит

ну а шо вы хотели так и должно быть и эта интерпретация чем больше в ней состояний заряда уменьшает циклы и ячейка быстрее - деградирует ( и по факту память ячейки равна четырем битам)

я написал как формируется ваш любимый показатель

умнея нет любимого показателя и если вы о TBW то ( то он формируется не по уровню заряда)

но он не показывает время хранения

а зачем ему это, производитель гарантирует что данные считаются в пределах того же TBW сюда входит и отключенные состояния

частоту перезаписи

частота смотрится в Смарт да и память имеет определенные циклы

а как данные поменяются спустя 3 года эксплуатации?

никак не поменяются ( если его три года не хранить в включенном состоянии), да и за три года тяжело - выработать тот же гарантированный ресурс (TBW)+ сама память имеет более циклов записи и стирания чем заложено обычно в TBW

[Alexsandr]

Хотя бы пришли к знаменателю, что заряд один. Уже хорошо, ну а время хранения и надежность памяти зависит ка краз от способности хранить заряд, утечка одинаковая, а значить чем больше уровней мы контролируем, тем сложнее алгоритмы коррекции нужны, медленнее память (у новой микросхемы уже помнится несколько каналов, в компенсацию) и меньше надежность хранения и ресурс.

[Sergey771]

ну а время хранения и надежность памяти зависит ка краз от способности хранить заряд

нет - вы сильно топорно на это смотрите, тут все проще; производители памяти гарантируют что ячейки памяти будут удерживать заряд на протяжении озвученных циклов записи и стирания ( но тут есть еще фактор качества тех-же кристаллов памяти)