Intel завершила розробку техпроцесів 20A та 18A

Обсуждение статей и новостей сайта
Автор
Сообщение
1nsane
Member
Откуда: Ларнака, Кипр

Сообщение

Предлагаю обсудить Intel завершила розробку техпроцесів 20A та 18A

О, в Интеле снова включили генератор рандомных заявлений в розетку.
taras_cs
Member
Аватара пользователя
Откуда: Варшава-Київ-Дніпро

Сообщение

Які шоколадні обіцянки - спочатку +15% а потім ще +10% performance per watt
Devijack
Member
Аватара пользователя
Откуда: Запорожье

Сообщение

Интол розробили нову назву щоб не було стидно.
coffeeman
Member
Аватара пользователя
Откуда: Lviv

Сообщение

А що означають 2 нм та 1.8 нм? Ці ж процеси нібито ні до чого не прив'язані.
SergN
Member
Откуда: Kyiv

Сообщение

Розробка цього техпроцесу, судячи з усього, йде настільки гладко, що Intel перенесла його запуск з 2025-го на другу половину 2024 року.
Що тут значить слово "запуск"? Це ціла фабрика буде випускати продукцію на цьому техпроцесі? Там відразу акції компанії мали б добряче злетіти після такої новини, проте, якщо ні, то і трактування успіхів переоцінене.
taras_cs
Member
Аватара пользователя
Откуда: Варшава-Київ-Дніпро

Сообщение

Deleted
Евгений King
Member
Аватара пользователя
Откуда: Казна-де

Сообщение

coffeeman: 07.03.2023 12:34 А що означають 2 нм та 1.8 нм? Ці ж процеси нібито ні до чого не прив'язані.
А до чого прив'язані техпроцеси у TSMC чи Самсунга?? Правильно, ні до чого...
Раніше техпроцес вказував довжину затвору транзистора
Зараз розмір техпроцесу це суцільний маркетинг, довжина затвору вже давно не відповідає техпроцесу і не сильно зменшується з прогресом техпроцесу
Сьогодні прогрессом можна вважати зростання щільності та енергоєфективності процесорів, і якщо покопатись у цьому напрямку - то можна побачити що прогрес сильно сповільняється
KimRomik
Member
Аватара пользователя

Сообщение

coffeeman: 07.03.2023 12:34 А що означають 2 нм та 1.8 нм? Ці ж процеси нібито ні до чого не прив'язані.
это значит, что меряться будем ангстремами, и чем меньше оно, тем круче у того комп :laugh:
coffeeman
Member
Аватара пользователя
Откуда: Lviv

Сообщение

Ну так я й кажу - вже треба перестати тулити ці нанометри, бо одна частина інформації "про нанометри" - це маркетинг, інша - закрита інформація. Якщо при рівній продуктивності один процесор споживає вдвічі більше - то неважко здогадатися хто лідер.
dead_rat
Member
Аватара пользователя
Откуда: Берлін

Сообщение

coffeeman: 07.03.2023 12:34 А що означають 2 нм та 1.8 нм? Ці ж процеси нібито ні до чого не прив'язані.
Ну треба ж якось називати. Назовеш 7нм, то місцеві експерти плюватимуться, 5нм ну таке, а от 20А звучить свіжо і перспективно B-)
Nikolay Yeryomenko
Member

Сообщение

В итоге главное чтобы потом не сказали: "ой извините надо подождать".
saren
Member
Аватара пользователя
Откуда: Днепр

Сообщение

coffeeman
самое смешное, имхо, проверить все эти дела практически невозможно.

Отправлено спустя 1 минуту 17 секунд:
Евгений King
мне очень интересно, на каком техпроцесса пробой между дорожками будет уже на 1В.

помнится у меня на 480 печи напруга на чипе была 0.98В.
lamer02
Member

Сообщение

coffeeman: 07.03.2023 12:34 А що означають 2 нм та 1.8 нм? Ці ж процеси нібито ні до чого не прив'язані.
Если не 20-30 :lol:
MetalistForever
Member
Аватара пользователя
Откуда: Харьков

Сообщение

Т.е RibbonFET это примерно тоже самое , что и MBCFET
Вложения
Screenshot 2023-03-07 at 21-55-13 3nm_large.jpg (Зображення JPEG 1000 х 357 пікселів).jpg
manbearboar
Member

Сообщение

TSMC по сравнению с Интел более сейвово действует, не больше 1 крупной инновации за раз, поэтому у них лучше с выполнением графиков.

У Интел это всё может как взлететь, как и может повториться ситуация с 10нм, когда ещё пару лет понадобилось чтобы отладить для массового производства типа готовый техпроцесс.

Відправлено через 3 хвилини 1 секунду:
Евгений King: 07.03.2023 12:44 А до чого прив'язані техпроцеси у TSMC чи Самсунга?? Правильно, ні до чого...
У TSMC привязано к характеристикам процессора ARM Cortex A7, реализованного на этом техпроцессе (симулированного).
ronemun
Advanced Member

Сообщение

saren: 07.03.2023 19:11 coffeeman
самое смешное, имхо, проверить все эти дела практически невозможно.
легко провіряється: наприклад у АМД на 7 нм і у Інтел 7 абсолютно однакова площа 1 МБ кешу - 0,5 мм2. Можна тупо по фоткам кристалу вирахувати
Згідно даних досліджень площа SRAM памяті падає прямопропорційно зменшеню техпроцесу - тобто при зменшенні з 7 до 4 нм площа SRAM зменшився десь в 1,7 раз. Тож в Інтел 20А площа SRAM буде ще в 2 рази меньша
Площа логіки зменшується не прямо, а майже в квадраті, але логіка різна, тож тут важко сказати яка площа якої логіки має бути.
Як недивно площа інтерфейсів тої ж версії, наприклад PCIe v4 чи v5, чи DRAM зменшується краще ніж SRAM, а оскільки ці блоки добре видно на фотці кристалу то їх можна спокійно порівняти. Але головне щоб версії були тіж, томущо між ними є сильна різниця на тому ж техпроцесі: SerDes PCIe v5 займає у 2 рази більшу площу ніж v3, і у 1,5 рази ніж v4
manbearboar
Member

Сообщение

ronemun: 08.03.2023 00:39 Згідно даних досліджень площа SRAM памяті падає прямопропорційно зменшеню техпроцесу - тобто при зменшенні з 7 до 4 нм площа SRAM зменшився десь в 1,7 раз.
https://fuse.wikichip.org/news/7343/ied ... h-of-sram/
SRAM практически всё, не масштабируется дальше.
При чём Intel 4 где-то ближе к TSMC 5.
спойлер
Изображение
Изображение
l-m
Member

Сообщение

manbearboar
Які ти цікаві картинки постиш :)
Шкода вони сильно суперечать твоїй вірі, що неможливо досягти щільності в 133 млн транзисторів на мм2
спойлер
manbearboar: 06.03.2023 21:36
l-m: 06.03.2023 18:47 Сам по собі чисто кеш, як срам пам'ять дозволяє отримати максимальну щільність транзисторів.
Максимальная плотность для HP версии 7нм техпроцесса - это 50-60 миллонов, никак не 133млн.
У Интел в Рапторе ещё меньше, где-то в районе 40-50млн.

Самые плотные девайсы на 7нм имеют под 100млн/мм2, но это мобильные чипы, которым не нужно развивать 5.25Ггц частоты, а именно такую частоту эта нашлёпка развивает.

В общем 133млн в одном слое это анриал, там 2 этажа по 60млн.
Якщо відкрити оригінальний матеріал, то там вказано що це розмір стандартної 6T SRAM комірки - https://fuse.wikichip.org/news/6720/a-l ... hnology/4/
Простою арифметикою дізнаємось з цих даних теоретичну щільність SRAM без будь-якої додаткової логіки для 7нм ТSMC — 1/0.027*6 = 222 млн/мм2.

Але без додаткової логіки вона працювати не буде, тому навіть на кристалі з 3Д-кешем, де сильно зекономили на інтерконектах, маємо тільки 133 млн/мм2, які тобі здались неможливими, та почались вигадування ще одного поверху (про який би неодмінно похвалились, якби він справді там був) :)
ronemun
Advanced Member

Сообщение

manbearboar
графік виглядає дійсно тупіковим, якби не один нюанс - тупік в TSMC, в Інтела все нормально
По друге в логарифмічній шкалі, і то з основою аж 10, далі буде все тільки плоским, адже чим нижче по шкалі таж відстань вимагатиме в рази більшого результату, а я писав що зменшення йде ЛІНІЙНО.
Хоча SRAM дійсно далі не вигідно буде випускати на малих техпроцесах - ціна площі пластин росте значно швидше ніж кількість SRAM на ній, саме тому АМД 64 МБ кристали далі випускає на 7 нм. На щастя, є способи зєднати навіть кеш L3, а L2 займає мало
Ну і самі комірки це ще не все - флеш память теж комірки не сильно зменьшиш, адже заряд почне розмоктуватись, але чомусь густина виросла в рази, при тому кількість зарядів в комірці виросла з 2х до 4х. Там багато слоїв, так само і зі SRAM може зроблять. Комірку флеш змогли перевести з великої плоскої в маленьку по площі, але більшу в обємі ніж раніше, а логіка мініатюрна під коміркою. Значно тоньша і глибша металізація дозволила це обєднати. І хоча обслуговуюча логіка сильно ускладнилась, загальна площа на порядок меньша, а надійність і швидкість лише зросла
ender
Member
Откуда: Украина

Сообщение

ronemun: 08.03.2023 00:39
saren: 07.03.2023 19:11 coffeeman
самое смешное, имхо, проверить все эти дела практически невозможно.
легко провіряється: наприклад у АМД на 7 нм і у Інтел 7 абсолютно однакова площа 1 МБ кешу - 0,5 мм2. Можна тупо по фоткам кристалу вирахувати
Згідно даних досліджень площа SRAM памяті падає прямопропорційно зменшеню техпроцесу - тобто при зменшенні з 7 до 4 нм площа SRAM зменшився десь в 1,7 раз. Тож в Інтел 20А площа SRAM буде ще в 2 рази меньша
Площа логіки зменшується не прямо, а майже в квадраті, але логіка різна, тож тут важко сказати яка площа якої логіки має бути.
Як недивно площа інтерфейсів тої ж версії, наприклад PCIe v4 чи v5, чи DRAM зменшується краще ніж SRAM, а оскільки ці блоки добре видно на фотці кристалу то їх можна спокійно порівняти. Але головне щоб версії були тіж, томущо між ними є сильна різниця на тому ж техпроцесі: SerDes PCIe v5 займає у 2 рази більшу площу ніж v3, і у 1,5 рази ніж v4
Не совсем верно по поводу "Згідно даних досліджень".
Не площадь памяти уменьшается пропорционально уменьшению техпроцеса, а техпроцес называют пропорционально увеличению плотности (уменьшению площади памяти).
Поэтому у Intel были проблемы с неймингом до этого - их цифры означали некий физический размер, в то время как конкуренты называли техпроцес относительно какого-то древнего техпроцеса с определённой плотностью транзисторов.

PS: если у Intel реально будет рабочие так называемые 2нм и 1.8нм техпроцесы то это заявка на приличный скачок в развитии технологий. Конкуренция на рынке интенсицифируется. Глядишь и дефицит чипов победят :rolleyes:


upd: вижу уже всё разжевали.. мой некропостинг ни к чему :tomat:
Ответить